[发明专利]画素基板及其制造方法有效
申请号: | 201410008757.5 | 申请日: | 2014-01-06 |
公开(公告)号: | CN104766819B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 游家华;康沐楷;胡宪堂;赵长明;赖瑞麒 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 画素基板 及其 制造 方法 | ||
1.一种画素基板的制造方法,其特征在于,包括:
提供一基板,该基板包括一画素区以及一周边电路区,该周边电路区与该画素区相邻;
于该基板上形成一栅极、一下接垫,该栅极位于该画素区中而该下接垫位于该周边电路区中;
于该基板上形成一闸绝缘层,该闸绝缘层覆盖该栅极以及该下接垫;
于该闸绝缘层上形成一通道层以及一第一电极层,该通道层与该第一电极层皆位于该画素区中,且该通道层在该基板上的投影面积重叠于该栅极在该基板上的投影面积;
于该基板上形成一蚀刻阻挡材料层以完全覆盖该通道层、该第一电极层以及该闸绝缘层;
图案化该蚀刻阻挡材料层以形成一蚀刻阻挡图案层,该蚀刻阻挡图案层包括一画素区图案以及一周边电路区图案而暴露出该第一电极层,该画素区图案位于该栅极上方并且暴露出该通道层的一第一接触区以及一第二接触区,该周边电路区图案具有一第一接触开口,且该第一接触开口位于该下接垫上方,其中该闸绝缘层包括一遮蔽部以及一未遮蔽部,该遮蔽部受到该通道层、该第一电极层以及该蚀刻阻挡图案层所遮蔽,而该未遮蔽部则否;
图案化该蚀刻材料层的过程中,进一步移除该闸绝缘层的该未遮蔽部而在该闸绝缘层形成一第二接触开口,该第二接触开口连通于该第一接触开口并暴露出该下接垫;
于该基板上形成一源极、一漏极以及一上接垫,该源极与该漏极分别接触该通道层的该第一接触区与该第二接触区,该上接垫位于该下接垫上方并通过该第一接触开口与该第二接触开口接触于该下接垫;
于该基板上形成一保护层以覆盖该源极、该漏极以及该上接垫;以及
于该保护层上形成一第二电极层,该第二电极层位于该画素区中并具有多个狭缝,且该第二电极层在该基板的投影面积重叠于该第一电极层在该基板的投影面积,其中该第一电极层与该第二电极层其中一者电性连接该漏极,该第一电极层的材质包括金属氧化物,该第一电极层的材质相同于该通道层的材质。
2.根据权利要求1所述的画素基板的制造方法,其特征在于,形成该蚀刻阻挡图案层时,使该画素区图案具有一第一通道接触开口以及一第二通道接触开口,该第一通道接触开口暴露出该通道层的该第一接触区而该第二通道接触开口暴露出该通道层的该第二接触区,且该画素区图案覆盖该第一接触区以及该第二接触区以外的该通道层面积。
3.一种画素基板,其特征在于,包括:
一基板,包括一画素区以及一周边电路区,该周边电路区与该画素区相邻;
一栅极,位于该画素区中;
一下接垫,位于该周边电路区中;
一闸绝缘层,覆盖该栅极以及该下接垫;
一通道层,该通道层在该基板上的投影面积重叠于该栅极在该基板上的投影面积;
一第一电极层,位于该画素区中;
一蚀刻阻挡图案层,包括一画素区图案以及一周边电路区图案,该画素区图案位于该栅极上方并且暴露出该通道层的一第一接触区以及一第二接触区,该周边电路区图案具有一第一接触开口,且该第一接触开口位于该下接垫上方,其中该闸绝缘层包括一第二接触开口,该第二接触开口连通于该第一接触开口并暴露出该下接垫;
一源极;
一漏极,该源极与该漏极分别接触该通道层的该第一接触区与该第二接触区;
一上接垫,位于该下接垫上并通过该第一接触开口与该第二接触开口接触于该下接垫;
一保护层,覆盖该源极、该漏极以及该上接垫;以及
一第二电极层,位于该画素区中并具有多个狭缝,且该第二电极层在该基板的投影面积重叠于该第一电极层在该基板的投影面积,该第一电极层的材质包括金属氧化物,该第一电极层的材质相同于该通道层的材质。
4.根据权利要求3所述的画素基板,其特征在于,该画素区图案具有一第一通道接触开口以及一第二通道接触开口,该第一通道接触开口暴露出该通道层的该第一接触区而该第二通道接触开口暴露出该通道层的该第二接触区,且该画素区图案覆盖该第一接触区以及该第二接触区以外的该通道层面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造