[发明专利]画素基板及其制造方法有效
申请号: | 201410008757.5 | 申请日: | 2014-01-06 |
公开(公告)号: | CN104766819B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 游家华;康沐楷;胡宪堂;赵长明;赖瑞麒 | 申请(专利权)人: | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 画素基板 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种基板及其制造方法,且特别是有关于一种画素基板及其制造方法。
背景技术
近年来,随着显示科技的发展,消费大众对于显示器显像质量的要求越来越高。为了让液晶显示器有更好的显示质量,目前市面上也逐渐发展出各种显示技术,例如有共平面切换式(in-plane switching,简称:IPS)液晶显示器、多域垂直配向式(multi-domain vertically alignment,简称:MVA)液晶显示器与边缘电场切换式(fringe field switching,简称:FFS)液晶显示器等。
以边缘电场切换式液晶显示器为例,因其具有可视角度高、响应速度快,色彩还原准确等特点,因此目前已广泛的应用于各种显示产品上。然而,现有的边缘电场切换式液晶显示器的画素结构,需依赖八道掩模步骤制作,相当耗时且高成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种画素基板及其制造方法,能够简化制作步骤,且可节省制作时间。
本发明提供一种画素基板的制造方法,其包括提供一基板,基板包括一画素区以及一周边电路区,周边电路区与画素区相邻;于基板上形成一栅极、一下接垫,栅极位于画素区中而下接垫位于周边电路区中;于基板上形成一闸绝缘层,闸绝缘层覆盖栅极以及下接垫;于闸绝缘层上形成一通道层以及一第一电极层,通道层与第一电极层皆位于画素区中,且通道层在基板上的投影面积重叠于栅极在基板上的投影面积;于基板上形成一蚀刻阻挡材料层以完全覆盖通道层、第一电极层以与门绝缘层;图案化蚀刻阻挡材料层以形成一蚀刻阻挡图案层,蚀刻阻挡图案层包括一画素区图案以及一周边电路区图案而暴露出第一电极层,画素区图案位于栅极上方并且暴露出通道层的一第一接触区以及一第二接触区,周边电路区图案具有一第一接触开口,且第一接触开口位于下接垫上方,其中闸绝缘层包括一遮蔽部以及一未遮蔽部,遮蔽部受到通道层、第一电极层以及蚀刻阻挡图案层所遮蔽,而未遮蔽部则否;图案化蚀刻材料层的过程中,进一步移除闸绝缘层的未遮蔽部而在闸绝缘层形成一第二接触开口,第二接触开口连通于第一接触开口并暴露出下接垫;于基板上形成一源极、一漏极以及一上接垫,源极与漏极分别接触通道层的第一接触区与第二接触区,上接垫位于下接垫上方并通过第一接触开口与第二接触开口接触于下接垫;于基板上形成一保护层以覆盖源极、漏极以及上接垫;以及于保护层上形成一第二电极层,第二电极层位于画素区中并具有多个狭缝,且第二电极层在基板的投影面积重叠于第一电极层在基板的投影面积,其中第一电极层与第二电极层其中一者电性连接漏极。
本发明另提供一种画素基板,其包括:一基板,包括一画素区以及一周边电路区;一栅极,位于画素区中;一下接垫,位于周边电路区中;一闸绝缘层,覆盖栅极以及该下接垫;一通道层,通道层在基板上的投影面积重叠于栅极在基板上的投影面积;一第一电极层,位于画素区中;一蚀刻阻挡图案层,包括一画素区图案以及一周边电路区图案,画素区图案位于栅极上方并且暴露出通道层的一第一接触区以及一第二接触区,周边电路区图案具有一第一接触开口,且第一接触开口位于下接垫上方,其中闸绝缘层包括一第二接触开口,第二接触开口连通于第一接触开口并暴露出下接垫;一源极;一漏极,源极与漏极分别接触通道层的第一接触区与第二接触区;一上接垫,位于下接垫上并通过第一接触开口与第二接触开口接触于下接垫;一保护层,覆盖源极、漏极以及上接垫;以及一第二电极层,位于画素区中并具有多个狭缝,且第二电极层在基板的投影面积重叠于第一电极层在基板的投影面积,其中第一电极层与第二电极层其中一者电性连接漏极,另一者连接一共享电位。
在本发明的另一实施例中,上述的通道层的材质包括氧化物半导体层。
在本发明的另一实施例中,上述的第一电极层的材质包括金属氧化物。
在本发明的另一实施例中,上述的第一电极层的材质相同于该通道层的材质。
在本发明的另一实施例中,上述的画素区图案具有一第一通道接触开口以及一第二通道接触开口,第一通道接触开口暴露出通道层的第一接触区而第二通道接触开口暴露出通道层的第二接触区,且画素区图案覆盖第一接触区以及第二接触区以外的通道层面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造