[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201410008814.X 申请日: 2014-01-08
公开(公告)号: CN104242606B 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 金锺焕 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H02M1/32
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 俞波,毋二省
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

外部电压检测单元,所述外部电压检测单元适用于检测外部电压的电压电平,以基于检测结果来输出外部电压检测信号;

参考电压发生单元,所述参考电压发生单元适用于基于所述外部电压来产生参考电压;

内部电压发生单元,所述内部电压发生单元响应于所述外部电压检测信号而被使能,适用于选择性地产生与所述参考电压相对应的电压作为内部电压;以及

内部电压控制单元,所述内部电压控制单元在所述内部电压发生单元被使能时被禁止,适用于:响应于所述外部电压检测信号,选择性地提供具有与所述内部电压相对应的目标电平的电压作为所述内部电压。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,与所述内部电压相对应的所述目标电平包括处于过电压状态的所述外部电压被箝位的电压。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述内部电压发生单元包括泵型的电路。

4.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

过电压放电单元,所述过电压放电单元适用于响应于所述外部电压检测信号而将处于过电压状态的所述外部电压放电。

5.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述内部电压发生单元适用于:在所述外部电压检测信号具有表示所述外部电压具有正常电压的值时被使能,并且产生与所述参考电压相对应的电压作为所述内部电压。

6.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述内部电压控制单元适用于:在所述外部电压检测信号具有表示所述外部电压处于过电压状态的值时而被使能,并且提供具有与所述内部电压相对应的所述目标电平的电压作为所述内部电压。

7.一种半导体器件,包括:

外部电压检测单元,所述外部电压检测单元适用于检测外部电压的电压电平,以基于检测结果来输出外部电压检测信号;

参考电压发生单元,所述参考电压发生单元适用于基于所述外部电压来产生参考电压;

内部电压发生单元,所述内部电压发生单元适用于响应于所述外部电压检测信号而选择性地产生与所述参考电压相对应的电压作为内部电压;以及

驱动单元,所述驱动单元适用于响应于所述外部电压检测信号而将内部电压端子选择性地驱动至所述外部电压,

其中,当所述内部电压发生单元响应于外部电压检测信号而被使能时,所述驱动单元被禁止。

8.如权利要求7所述的半导体器件,其中,所述内部电压发生单元包括泵型的电路。

9.如权利要求7所述的半导体器件,还包括:

过电压放电单元,所述过电压放电单元适用于基于所述外部电压检测单元的检测结果来使处于过电压状态的所述外部电压放电。

10.如权利要求7所述的半导体器件,其中,所述内部电压发生单元适用于:在所述外部电压检测信号具有表示所述外部电压具有正常电压的值时而被使能,并且产生与所述参考电压相对应的电压作为所述内部电压。

11.如权利要求7所述的半导体器件,其中,所述驱动单元适用于:在所述外部电压检测信号具有表示所述外部电压处于过电压状态的值时而被使能,并且将所述内部电压端子驱动至所述外部电压。

12.一种半导体器件,包括:

外部电压检测单元,所述外部电压检测单元适用于检测处于过电压状态的外部电压,以基于检测结果来输出外部电压检测信号;

参考电压发生单元,所述参考电压发生单元适用于基于所述外部电压来产生参考电压;

内部电压检测单元,所述内部电压检测单元适用于将内部电压与所述参考电压进行比较以产生泵浦使能信号;

振荡单元,所述振荡单元适用于响应于所述泵浦使能信号而输出振荡信号;

振荡信号阻挡单元,所述振荡信号阻挡单元适用于:响应于所述外部电压检测信号而选择性地阻挡所述振荡信号的传送,以输出内部振荡信号;

泵浦单元,所述泵浦单元适用于响应于从所述振荡信号阻挡单元输出的所述内部振荡信号而选择性地产生所述内部电压;以及

驱动单元,所述驱动单元适用于响应于所述外部电压检测信号而将内部电压端子选择性地驱动至所述外部电压。

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