[发明专利]半导体器件和具有半导体器件的半导体系统有效

专利信息
申请号: 201410008845.5 申请日: 2014-01-08
公开(公告)号: CN104299642B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 丘泳峻 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;周晓雨
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 具有 半导体 系统
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

列命令发生单元,适用于响应于第一控制信号和源命令而从所述源命令产生被延迟了第一延迟时间的列命令;

存储体地址发生单元,适用于响应于所述第一控制信号和存储体源地址而从所述存储体源地址产生被延迟了所述第一延迟时间的存储体地址;

预充电命令发生单元,适用于响应于第二控制信号和所述列命令而从所述列命令产生被延迟了第二延迟时间的预充电命令;以及

预充电存储体地址发生单元,适用于响应于所述第二控制信号和所述存储体地址而从所述存储体地址产生被延迟了所述第二延迟时间的预充电存储体地址。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一延迟时间包括RAS至CAS延迟时间tRCD,所述第二延迟时间包括读取至预充电时间tRTP或者写入恢复时间tWR。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述列命令发生单元包括:

第一可变移位部,适用于响应于所述第一控制信号和时钟而将所述源命令移位所述第一延迟时间的一部分;以及

第一固定移位部,适用于响应于所述时钟而将所述第一可变移位部的输出信号移位所述第一延迟时间的其余部分。

4.如权利要求3所述的半导体器件,其中,所述列命令发生单元还包括:

第一延迟部,适用于通过将所述第一固定移位部的输出信号移位比所述时钟的周期更小的单位来产生所述列命令。

5.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述存储体地址发生单元包括:

第二可变移位部,适用于响应于所述第一控制信号和时钟而将所述存储体源地址移位所述第一延迟时间的一部分;以及

第二固定移位部,适用于响应于所述时钟而将所述第二可变移位部的输出信号移位所述第一延迟时间的其余部分。

6.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述预充电命令发生单元包括:

第三可变移位部,适用于响应于所述第二控制信号和时钟而将所述列命令移位所述第二延迟时间的一部分;以及

第三固定移位部,适用于响应于所述时钟而将所述第三可变移位部的输出信号移位所述第二延迟时间的其余部分。

7.如权利要求6所述的半导体器件,其中,所述预充电命令发生单元还包括:

第二延迟部,适用于通过将所述第三固定移位部的输出信号移位比所述时钟的周期更小的单位来产生所述预充电命令。

8.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述预充电存储体地址发生单元包括:

第四可变移位部,适用于响应于所述第二控制信号和时钟而将所述存储体地址移位所述第二延迟时间的一部分;以及

第四固定移位部,适用于响应于所述时钟而将所述第四可变移位部的输出信号移位所述第二延迟时间的其余部分。

9.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一控制信号和所述第二控制信号包括测试模式信号。

10.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

模式寄存器组,所述模式寄存器组适用于产生所述第一控制信号和所述第二控制信号。

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