[发明专利]半导体器件和具有半导体器件的半导体系统

说明书

一种半导体器件包括：列命令发生单元，适用于响应于第一控制信号和源命令而从源命令产生被延迟了第一延迟时间的列命令；存储体地址发生单元，适用于响应于第一控制信号和存储体源地址而从存储体源地址产生被延迟了第一延迟时间的存储体地址；预充电命令发生单元，适用于响应于第二控制信号和列命令而从列命令产生被延迟了第二延迟时间的预充电命令；以及预充电存储体地址发生单元，适用于响应于第二控制信号和存储体地址而从存储体地址产生被延迟了第二延迟时间的预充电存储体地址。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年7月16日提交的申请号为10-2013-0083631的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种半导体设计技术，更具体而言，涉及一种半导体器件和具有半导体器件的半导体系统。

背景技术

诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体器件(在下文中，被称作为“存储器件”)根据控制器的控制来执行用于储存或读取数据的一系列操作。

图1A是用于解释存储器件储存数据的操作的时序图。

参见图1A，当从控制器顺序地施加用于第一激活操作ACT0、第一写入操作WT0、以及第一预充电操作PRE0的命令CMD时，存储器件响应于相应的命令CMD而在预定的时间顺序地产生用于第一激活操作ACT0的激活命令ACT、用于第一写入操作WT0的写入命令CASP、以及用于第一预充电操作PRE0的预充电命令PRE_CMD。类似地，当顺序地施加用于第二激活操作ACT1、第二写入操作WT1、以及第二预充电操作PRE1的命令CMD时，存储器件响应于相应的命令CMD而在预定的时间顺序地产生用于第二激活操作ACT1的激活命令ACT、用于第二写入操作WT1的写入命令CASP、以及用于第二预充电操作PRE1的预充电命令PRE_CMD。

此时，存储器件响应于激活命令ACT而激活预定存储体的行(例如，字线)、响应于写入命令CASP而经由预定的列(例如，位线)执行写入操作、以及响应于预充电命令PRE_CMD而执行对预定存储体预充电的操作。

图1B是用于解释存储器件读取数据的操作的时序图。

参见图1B，当从控制器顺序地施加用于第一激活操作ACT0、第一读取操作RD0、以及第一预充电操作PRE0的命令CMD时，存储器件响应于相应的命令CMD而在预定的时间顺序地产生用于第一激活操作ACT0的激活命令ACT、用于第一读取操作RD0的读取命令CASP、以及用于第一预充电操作PRE0的预充电命令PRE_CMD。类似地，当从控制器顺序地施加用于第二激活操作ACT1、第二读取操作RD1、以及第二预充电操作PRE1的命令CMD时，存储器件响应于相应的命令CMD而在预定的时间顺序地产生用于第二激活操作ACT1的激活命令ACT、用于第二读取操作RD1的读取命令CASP、以及用于预充电操作PRE1的预充电命令PRE_CMD。

此时，存储器件响应于激活命令ACT而激活预定存储体的行(例如，字线)、响应于读取命令CASP而经由预定的列(例如，位线)来执行读取操作、以及响应于预充电命令PRE_CMD而执行对预定存储体预充电的操作。

如上所述操作的存储器件按照从控制器施加的每个命令CMD来执行一个操作，例如激活操作、读取操作或预充电操作。

发明内容

本发明的各种示例性实施例针对一种能够每预定命令顺序地执行多个操作的半导体器件和包括半导体器件的半导体系统。