[发明专利]一种增大flash器件栅电容的方法及flash器件

权利要求书

1.一种增大flash器件栅电容的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，于所述衬底的上表面依次沉积氧化层、第一多晶硅层和掩膜层；

依次刻蚀部分所述氧化层、第一多晶硅层和掩膜层至所述衬底形成浅沟槽，沉积一填充层充满所述浅沟槽并覆盖剩余掩膜层的上表面，抛光所述填充层至该剩余掩膜层的上表面，形成浅沟槽隔离结构；

去除所述剩余掩膜层后，在所述浅沟槽隔离结构暴露的侧壁上制备一侧墙，并以所述侧墙为掩膜进行离子注入工艺，以在剩余第一多晶硅层中形成一离子掺杂层；

移除所述侧墙后，并刻蚀去除部分剩余第一多晶硅层，形成具有台阶图形的浮栅；

制备一介质层将所述浮栅暴露的表面完全予以覆盖，再于所述介质层上方沉积第二多晶硅层用以制备控制栅。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层的材质为Si₃N₄。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层与所述填充层的材质均为氧化硅。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述剩余掩膜层后，先沉积一层侧墙薄膜覆盖在器件上表面，然后对所述侧墙薄膜进行选择性刻蚀，形成所述侧墙。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙薄膜的材质为SiN。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用Ge离子进行所述离子注入工艺。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层为ONO介质层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，采用热氧化工艺制备所述ONO介质层。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子掺杂层的材质为锗硅。