[发明专利]用于金属堆栈的导线标记列表的自动生成的方法和设备有效
申请号: | 201410009272.8 | 申请日: | 2014-01-09 |
公开(公告)号: | CN103914585B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | C·J·阿尔伯特;R·M·埃弗里尔三世;E·J·弗拉尔;李卓;T·马玛德;J·L·P·尼夫斯;S·T·奎伊;C·N·塞;魏耀广 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 鲍进 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 金属 堆栈 导线 标记 列表 自动 生成 | ||
1.一种在数据处理系统中用于削减要在集成电路设计过程中的导线敷设中使用的层特征库的方法,包括:
接收多个导线代码以及金属堆栈定义;
基于金属堆栈定义的层和导线代码的所有可能组合,生成详细层特征库;
通过削减详细层特征库以从详细层特征库中除去冗余的层特征来生成削减层特征库;及
存储削减层特征库以用于执行集成电路设计的导线敷设,
其中生成削减层特征库包括:
削减详细层特征库以除去冗余的层特征,从而生成第一削减层特征库;
在第一削减层特征库中执行层特征的群集;及
基于第一削减层特征库中层特征的群集来削减第一削减层特征库以生成第二削减层特征库。
2.如权利要求1所述的方法,还包括:
基于所存储的削减层特征库,执行集成电路设计的导线敷设。
3.如权利要求2所述的方法,还包括:
基于集成电路设计,制作集成电路设备,其中包括基于所存储的削减层特征库执行的导线敷设。
4.如权利要求1所述的方法,其中削减详细层特征库以除去冗余的层特征包括:
识别详细层特征库中具有相似电阻-电容(RC)特性的层特征,以生成一个或多个具有相似RC特性的层特征组;及
从一个或多个层特征组中的每一组中选择代表该组中要包括在第一削减层特征库中的层特征的代表性层特征。
5.如权利要求4所述的方法,其中从每一组中选择的代表性层特征是基于与该组中的层特征关联的资源成本、该组中的层特征的延迟与定时特性、该组中的层特征的飞行时间、该组中的层特征的到达限制、该组中的层特征的耦合定时或者该组中的层特征的敷设成本中的一个或多个来选择的。
6.如权利要求1所述的方法,其中生成削减层特征库进一步包括:
在第二削减层特征库中执行层特征的群集;及
基于第二削减层特征库中层特征的群集来削减第二削减层特征库以生成第三削减层特征库。
7.如权利要求6所述的方法,其中:
在第二削减层特征库中执行层特征的群集包括:根据相似拥塞水平来群集层特征以使得生成层特征的一个或多个群集,其中每个群集包括具有相似拥塞水平的层特征;及
基于第二削减层特征库中层特征的群集来削减第二削减层特征库以生成第三削减层特征库包括:削减一个或多个群集中的每个群集。
8.如权利要求7所述的方法,其中基于第二削减层特征库中层特征的群集来削减第二削减层特征库以生成第三削减层特征库包括:针对一个或多个群集中的每个群集,基于该群集的层特征的资源成本或定时和延迟特性中的至少一个从该群集的层特征中选择代表性层特征。
9.如权利要求6所述的方法,还包括:
利用第一、第二和第三削减层特征库对集成电路设计执行导线敷设处理,其中第一、第二和第三削减层特征库中的每一个用在不同粒度的导线敷设处理。
10.如权利要求9所述的方法,其中第三削减层特征库用在最粗粒度水平的导线敷设处理中,而第一削减层特征库用在最细粒度水平的导线敷设处理中。
11.如权利要求1所述的方法,其中层特征中的每一个都包括导线代码与层范围的组合。
12.一种数据处理设备,包括:
处理器;及
耦合到处理器的存储器,其中存储器包括指令,所述指令在被处理器执行时,使处理器执行如权利要求1至11中任一项所述的方法。
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