[发明专利]液晶显示装置的制造方法及液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201410010530.4 申请日: 2014-01-09
公开(公告)号: CN103969869B 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 中村考雄;刈込修;高谷亮平 申请(专利权)人: 株式会社日本显示器
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/136;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及液晶显示装置的制造方法及液晶显示装置。

背景技术

在近年来的液晶显示装置中,在各像素电路所包含的薄膜晶体管的上层设有有机绝缘膜的层,而且在有机绝缘膜的上层设有保护有机绝缘膜等的无机绝缘膜。另外,薄膜晶体管的电极和像素电极利用通孔而连接。

为了设置上述的液晶显示装置的通孔,按顺序进行以下工序:形成在通孔部分具有孔的有机绝缘膜的层的工序、在有机绝缘膜层的上层形成无机绝缘膜的层的工序、形成在通孔部分开有孔的抗蚀层的工序、和对无机绝缘膜进行蚀刻的工序。通过蚀刻工序,将通孔部分的无机绝缘膜除去,从而能够将之后形成的像素电极与薄膜晶体管电连接。另外,为了防止像素电极的破损,以在无机绝缘膜的端部设置正锥形的方式进行蚀刻。

专利文献1中,公开有在薄膜晶体管与像素电极之间从下方开始按顺序设置下侧的无机绝缘膜的层、有机绝缘膜的层、及上侧的无机绝缘膜的层这三层的液晶显示装置、和贯穿这些层的通孔的形成方法的一例。

现有技术文献

专利文献1:日本特开2011-59314号公报

发明内容

位于有机绝缘膜上侧的无机绝缘膜由于无法提高成膜温度所以容易变脆弱。因此,若在干法刻蚀时要在上侧的无机绝缘膜上形成正锥形,则该无机绝缘膜在平面方向上由于被蚀刻而产生的后退移动的量增多。因此,无机绝缘膜中的例如直到位于通孔外侧的部分也被除去。

另一方面,在智能手机等中使用的液晶显示面板的高分辨率化不断发展,存在在像素电路内通孔和其他结构要素之间的间隔变窄的倾向。因此,若无机绝缘膜被大范围地蚀刻,则会影响到其他结构要素。例如在通孔附近的有机绝缘膜和无机绝缘膜之间形成电极的情况下,该电极和像素电极会短路,容易产生像素缺陷。

本申请是鉴于上述课题而研发的,其目的在于,提供一种如下技术:在形成将像素电路的薄膜晶体管与像素电极连接的通孔的情况下,能够以在位于有机绝缘膜上的无机绝缘膜上形成正锥形的方式进行蚀刻,同时能够减少伴随该蚀刻的后退移动的量。

简单说明本申请中公开的发明中的代表性内容的概要,如下所述。

(1)一种液晶显示装置的制造方法,其特征在于,包括:在基板上形成薄膜晶体管的电极的工序;在所述薄膜晶体管的电极的上方形成具有第1孔的有机绝缘膜的工序;在所述有机绝缘膜的上方形成无机绝缘膜的工序;在所述第1孔的中心部之上形成具有第2孔的抗蚀膜的工序;使用所述抗蚀膜对所述无机绝缘膜进行干法刻蚀的工序;除去所述抗蚀膜的工序;以及形成与所述被蚀刻后的无机绝缘膜的上表面接触的像素电极的工序,在进行所述干法刻蚀的工序中,使氟系气体及氧气的混合干法刻蚀气体的总流量为(腔室的容积)×(0.09~0.11)/分钟,使所述混合干法刻蚀气体中的所述氧气的比例为80%以上。

(2)如(1)所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,还包括在所述有机绝缘膜与所述无机绝缘膜之间形成对置电极的工序,所述对置电极的上表面与所述无机绝缘膜接触,所述对置电极的下表面与所述有机绝缘膜接触,通过在所述对置电极与所述像素电极之间产生的电场来控制液晶的偏振。

(3)如(1)或(2)所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述薄膜晶体管的电极是与该薄膜晶体管所包含的半导体膜的上表面电连接的金属。

(4)一种液晶显示装置,其特征在于,包括:薄膜晶体管,其包含半导体膜、和位于所述半导体膜的上层且与所述半导体膜电连接的电极膜;有机绝缘膜,其位于所述电极膜的上层,且形成有在俯视观察下与该电极膜重叠的第1孔;第2无机绝缘膜,其形成于所述有机绝缘膜的上方,具有在俯视观察下位于所述第1孔的内侧的第2孔,且在第2孔处具有锥形形状;像素电极,其位于所述第2无机绝缘膜的上方,且经由所述第1及第2孔与所述电极膜连接;以及对置电极,其形成于所述有机绝缘膜与所述第2无机绝缘膜之间,通过在该对置电极与所述像素电极之间产生的电场来控制液晶的偏振。

根据本发明,在将像素电路的薄膜晶体管与像素电极连接的通孔处,能够减少有机绝缘膜上的无机绝缘膜的后退移动的量。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的液晶显示装置的等效电路的一例的电路图。

图2是表示本发明的实施方式的阵列基板上的像素电路的局部俯视图。

图3是图2所示的像素电路的III-III剖面线处的剖视图。

图4是图2所示的像素电路的IV-IV剖面线处的剖视图。

图5A是表示抗蚀层形成后的阵列基板的剖视图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日本显示器,未经株式会社日本显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410010530.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top