[发明专利]胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种切割/芯片接合薄膜，其具有

切割薄膜，所述切割薄膜具有基材以及在该基材上形成的粘合剂层，和

胶粘薄膜，所述胶粘薄膜层叠在所述粘合剂层上，

所述胶粘薄膜为用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上的胶粘薄膜，其中，

所述胶粘薄膜的40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下，

所述胶粘薄膜的120℃下的熔融粘度为100Pa·s以上且3000Pa·s以下，

所述胶粘薄膜的构成材料为热塑性树脂与热固性树脂组合使用的构成材料，所述热塑性树脂为丙烯酸类树脂，所述热固性树脂为环氧树脂以及酚醛树脂，

所述胶粘薄膜含有无机填充剂，所述无机填充剂为二氧化硅粉末，

所述胶粘薄膜的构成材料还含有热固化催化剂，

所述胶粘薄膜的厚度T为100μm以上且250μm以下但是不包括100μm、或者为100μm以上且300μm以下但是不包括100μm。

2.如权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述胶粘薄膜的热固化前25℃下的储能弹性模量为10MPa以上且10000MPa以下。

3.如权利要求1或2所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述胶粘薄膜中该无机填充剂的含量为25～80重量％。

4.一种半导体装置的制造方法，其包括：

被粘物准备工序，准备固定有第一半导体元件的被粘物，

贴合工序，将权利要求1～3中任一项所述的切割/芯片接合薄膜的胶粘薄膜与半导体晶片贴合，

切割工序，将所述半导体晶片及胶粘薄膜切割而形成第二半导体元件，

拾取工序，将所述第二半导体元件与所述胶粘薄膜一起拾取，和

固定工序，利用与所述第二半导体元件一起拾取的胶粘薄膜，将固定在所述被粘物上的所述第一半导体元件包埋的同时将所述第二半导体元件固定到该被粘物上。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述胶粘薄膜的厚度T比所述第一半导体元件的厚度T₁厚，

所述被粘物与所述第一半导体元件通过引线接合法连接，并且所述厚度T与所述厚度T₁之差为40μm以上且260μm以下。

6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述胶粘薄膜的厚度T比所述第一半导体元件的厚度T₁厚，

所述被粘物与所述第一半导体元件通过倒装法连接，并且所述厚度T与所述厚度T₁之差为10μm以上且200μm以下。

7.通过权利要求4～6中任一项所述的半导体装置的制造方法得到的半导体装置。