[发明专利]胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201410012288.4 申请日: 2014-01-10
公开(公告)号: CN103923573B 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 宍户雄一郎;三隅贞仁;大西谦司 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C09J7/40 分类号: C09J7/40;C09J7/25;H01L21/78
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 胶粘 薄膜 切割 芯片 接合 半导体 装置 制造 方法
【说明书】:

本发明涉及胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明提供可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置的胶粘薄膜以及使用该胶粘薄膜的半导体装置的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体装置。本发明的胶粘薄膜,其为用于将固定在被粘物上的第一半导体元件包埋并且将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定到被粘物上的胶粘薄膜,其中,40℃下对SUS的粘着强度为0.2MPa以下。

技术领域

本发明涉及胶粘薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。

背景技术

以往,在半导体装置制造时半导体芯片往衬底或电极构件上的固定中使用银浆。所述固定处理通过将浆状胶粘剂涂布到半导体芯片或引线框上,通过浆状胶粘剂将半导体芯片搭载到衬底上,最后使浆状胶粘剂层固化来进行。

但是,浆状胶粘剂的涂布量或涂布形状等产生大的偏差,难以均匀化,或者浆状胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此,提出了在切割工序中胶粘保持半导体芯片并且还提供安装工序所需的芯片固定用胶粘薄膜的切割/芯片接合薄膜(参见专利文献1)。

这种切割/芯片接合薄膜具有在切割薄膜上层叠有芯片接合薄膜(胶粘薄膜)的结构。另外,切割薄膜为在支撑基材上层叠有粘合剂层的结构。这种切割/芯片接合薄膜以如下方式使用。即,在利用胶粘薄膜的保持下将半导体晶片及胶粘薄膜切割后,通过拉伸支撑基材将半导体芯片与胶粘薄膜一起剥离并将其分别回收。另外,将半导体芯片通过胶粘薄膜胶粘固定到BT衬底或引线框等被粘物上。将半导体芯片多层层叠时,在通过胶粘薄膜固定的半导体芯片上,进一步将带有胶粘薄膜的半导体芯片胶粘固定。

不过,进一步要求半导体装置及其封装的高功能化、薄型化、小型化。作为其对策之一,开发了将半导体元件在其厚度方向上多层层叠而实现半导体元件的高密度集成化的三维安装技术。

作为一般的三维安装方法,采用将半导体元件固定到衬底等被粘物上,在该最下层的半导体元件上依次层叠半导体元件的过程。半导体元件之间以及半导体元件与被粘物之间利用接合线(以下也称为“线”)实现电连接。另外,在半导体元件的固定中广泛使用薄膜状的胶粘剂。

这样的半导体装置中,出于控制多个半导体元件各自的操作或者控制半导体元件间的通信等目的,在最上层的半导体元件上配置控制用的半导体元件(以下也称为“控制器”)(参见专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2010-074144号公报

专利文献2:日本特开2007-096071号公报

发明内容

发明所要解决的问题

控制器也与下层的半导体元件同样地利用线实现与被粘物的电连接。但是,随着半导体元件的层叠层数增多,控制器与被粘物的距离变长,电连接所需的线也变长。结果,有时半导体封装的通信速度下降或者产生由外部因素(热或冲击等)引起的线的故障,从而半导体封装的品质下降,或者引线接合工序变复杂从而半导体装置制造的成品率下降。

因此,本申请的发明人开发了将控制器固定到被粘物上并且可以在包埋该控制器的同时固定其它半导体元件的包埋用胶粘薄膜,并对其进行了专利申请(在本申请的申请时尚未公开)。

通过使用这样的胶粘薄膜作为切割/芯片接合薄膜的胶粘薄膜,可以提高半导体装置的制造效率和提高半导体装置的品质。但是,为了包埋控制器等半导体元件而使用厚的胶粘薄膜时,有可能尽管进行切割也在切割部分产生胶粘片的再胶粘,从而不能良好地进行随后的拾取,从而成品率下降。

本发明鉴于前述问题而创立,其目的在于提供可以以良好的成品率制造高品质的半导体装置的胶粘薄膜以及使用该胶粘薄膜的半导体装置的制造方法、以及通过该制造方法得到的半导体装置。

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