[发明专利]采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法

权利要求书

1.采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将氧化物陶瓷靶置于磁控溅射室；

(2)将衬底放入磁控溅射室，抽真空；

(3)向磁控溅射室内通入混合气体，调节磁控溅射室压力；

所述混合气体为氩气和氢气的混合气体，氩气、氢气和氧气的混合气体，氩气、氢气和氮气的混合气体中的一种，混合气体中氢气占的比例为20％以内；

(4)清洗衬底；

(5)将衬底温度稳定到20-800℃，调节溅射压力，维持溅射功率为50-500W，沉积氧化物薄膜。

2.根据权利要求1所述的采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，其特征在于，还包括步骤(6)，将得到的氧化物薄膜进行退火处理。

3.根据权利要求1或2所述的采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，氧化物陶瓷靶为MgO陶瓷靶、Ga₂O₃陶瓷靶、Al₂O₃陶瓷靶或者SiO₂陶瓷靶。

4.根据权利要求1或2所述的采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，将背底真空抽至至少为1×10^-4Pa。

5.根据权利要求1或2所述的采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(3)中，调节磁控溅射室的压力为0.3-7.0Pa。

6.根据权利要求1或2所述的采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(4)中，清洗衬底的过程为：将衬底温度升至400-700℃，打开偏压电源，将偏压调到50-200W，利用反溅射清洗衬底，去除衬底表面残留的杂质。

7.根据权利要求1或2所述的采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(5)中，衬底温度稳定到300-800℃。

8.根据权利要求1或2所述的采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(5)中，溅射功率为50-150W。

9.根据权利要求1或2所述的采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(5)中，沉积时间为20-120min。

10.根据权利要求1或2所述的采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(5)中，溅射压力与步骤(3)的磁控溅射室压力相同。