[发明专利]铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物，尤其是用于TFT-LCD、OLED等显示器电极的铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物。

背景技术

半导体装置、TFT-LCD、OLED等微电路是通过在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等绝缘膜上，均匀地涂抹光刻胶，然后通过刻有图案的薄膜，进行光照射后成像，使所需的图案光刻胶成像，采用干式蚀刻或湿式蚀刻，在光刻胶下部的金属膜或绝缘膜上显示图案后，剥离去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成的。

大型显示器的栅极及数据金属配线所使用的铜合金，与以往技术中的铝铬配线相比，阻抗低且没有环境问题。铜存在与玻璃基板及绝缘膜的贴附性较低，易扩散为氧化硅膜等问题，所以通常使用钛、钼等作为下部薄膜金属。

在韩国专利公开公报第2003-0082375号、专利公开公报第2004-0051502号、专利公开公报第2006-0064881号、专利公开公报第2006-0099089号及专利公开公报第2010-0035250号等中，公开了过氧化氢基板的铜/钼合金蚀刻液。

但是，以过氧化氢为基板的蚀刻液，为了反复进行蚀刻，蚀刻液中的金属离子含量增加，这种金属离子可起到分解过氧化氢的催化作用，导致蚀刻锥角、蚀刻偏差及蚀刻直线度等特性失去，从而致使维持蚀刻特性的金属含量较低，蚀刻液使用量较多的问题出现。

发明内容

本发明的目的在于解决上述现有技术的不足，提供一种在蚀刻铜/钼膜或铜/钼合金膜时，在反复进行蚀刻工程，蚀刻液内金属离子的含量较高时，也可以维持蚀刻锥角、蚀刻偏差及蚀刻直线度等蚀刻特性的蚀刻液组合物。

为实现上述目的，本发明提供一种铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物，对于组合物的总重量，包含：5至40%重量的过氧化氢，0.1至5%重量的蚀刻抑制剂，0.1至5%重量的螯合剂，0.1至5%重量的蚀刻添加剂，0.01至2%重量的氟化物，0.01至2%重量的蚀刻稳定剂及余量的水且使全部组合物的总重量为100%重量；所述蚀刻稳定剂是同时具有醇基和胺基的化合物。

本发明的有益效果是：在蚀刻铜/钼合金膜时，在蚀刻工程反复进行时，即使蚀刻液内的金属离子的浓度增加，也可使金属离子稳定，控制过氧化氢的分解反应，增加蚀刻工程的反复次数，增加蚀刻容量，同时也可以维持蚀刻锥角、蚀刻偏差及蚀刻直线度等蚀刻特性，从而减少蚀刻工程中的蚀刻液的用量，可大幅度减少TFT-LCD、OLED等的制造费用。

附图说明

图1是本发明实施例1在使用蚀刻液对铜/钼合金膜蚀刻时，其文档的扫描电子显微镜的照片（侧面）；

图2是本发明实施例1在使用蚀刻液对铜/钼合金膜蚀刻时，其文档的扫描电子显微镜的照片（侧面）。

具体实施方式

本发明的蚀刻液组合物可同时蚀刻铜/钼膜或铜/钼合金膜。这里的“铜/钼膜”是指铜膜和钼膜单一膜；“铜/钼合金膜”是指铜膜和钼合金膜，钼合金是钼和多种金属的合金，优选为与钛、钽、铬、钕、镍、铟或锡的合金，更优选为与钛的合金。

本发明的蚀刻液组合物包括同时具有醇基和胺基的化合物的蚀刻稳定剂。

在本发明的蚀刻液组合物中，蚀刻稳定剂是在反复进行蚀刻工程，蚀刻液内部的金属离子含量较高时，起到用以控制过氧化氢分解的作用。胺类化合物可抑制在蚀刻工程中，随着所增加的金属离子浓度而发生的过氧化氢分解反应，具有长期维持蚀刻特性的效果。在本发明中所使用的同时具有醇基和胺基的化合物，其亲水性较大，具有抑制金属残渣发生的效果。蚀刻液组合物中的蚀刻稳定剂的含量优选为0.01至2%重量。

在本发明中，作为蚀刻稳定剂使用的同时具有醇基和胺基的化合物优选为碳原子数1至10的烷醇胺，进一步，优选为选自由甲醇胺、乙醇胺、丙醇胺、丁醇胺、二乙醇胺、三乙胺、二甲基乙醇胺、N-甲基乙醇胺及其混合构成的群。

依据本发明优选实施方式，本发明的铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物，对于组合物的总重量，包含：5至40%重量的过氧化氢，0.1至5%重量的蚀刻抑制剂，0.1至5%重量的螯合剂，0.1至5%重量的蚀刻添加剂，0.01至2%重量的氟化物，0.01至2%重量的蚀刻稳定剂及余量的水且使全部组合物的总重量为100%重量；所述蚀刻稳定剂是同时具有醇基和胺基的化合物。