[发明专利]低温溅射铜锌锡硒太阳能电池

权利要求书

1.一种低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池（见说明书附图1），其特征在于：在钠钙玻璃基板 (1) 上镀有约0.35至1.0微米厚钼薄膜，在所述钼薄膜镀有约0.7至1.5微米厚，或1.0微米标准厚度的“铜锌锡硒”薄膜，在“铜锌锡硒”薄膜及退火后的晶体 (3) 与其上表面有“p-n结”薄膜区域（11）。

2.根据权利要求1所述的一种低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述“铜锌锡硒”薄膜及晶体（3）上，镀有0.05微米厚的“硫化镉”或“硫化锌（4）”。

3.根据权利要求2所述的低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述“硫化镉”或“硫化锌（4）”上，镀约0.1微米厚的绝缘层氧化锌（5）。

4.根据权利要求3所述的低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述“氧化锌（5）”上，镀约0.35至1.9微米厚的导电透明“氧化锌参铝（6）”。

5.根据权利要求4所述的一种低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述“氧化锌参铝（6）”上，可选择性的镀上约0.05微米厚的镍（7），该镍（7）上镀有约3.0微米厚铝膜（8）。

6.根据权利要求5所述的一种低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述铝膜（8）上，可选择性的镀上约0.05微米厚的一层保护镍（9）。

7.根据权利要求6所述的一种低温溅射工艺制造的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述保护镍（9）上，放置约1.0至4.0毫米厚的钠钙覆盖玻璃（10）。