[发明专利]一种用于提升器件抗短路能力的沟槽IGBT工艺

权利要求书

1.一种用于提升器件抗短路能力的沟槽IGBT器件，包含：

一种导电类型的并具有第一浓度的单晶硅体，且具有平行的顶和底表面，垂直延伸至所述顶表面中给定深度的多个间隔的沟槽，衬垫所述沟槽的垂直壁的栅极绝缘层，形成在每个所述沟槽之间并具有比所述沟槽深度更小的深度的其他导电类型的沟道扩散；从所述体的所述顶表面延伸并且沿着每个所述沟槽的上部的两侧对称的一种导电类型的发射极扩散；所述发射极扩散通过所述沟槽的上部之间的给定间距彼此隔离；具有比所述沟道扩散浓度高的浓度并且设置在相邻的所述发射极扩散对之间的所述其他导电类型的扩散；具有比所述沟道扩散浓度高的浓度并且有选择性地在设置在沟槽之间所述沟道扩散位置的其他导电类型的沟道扩散。

2.如权利要求1的器件，其中每个所述发射极区的顶表面具有延伸并且沿着每个所述沟槽的上部的两侧对称的一种导电类型的发射极高浓度扩散，且所述扩散具有0.01-0.5微米的深度以及0.05-2微米的宽度，并且其中发射极区具有远离其各自沟道的浅横向延伸，以提供增大的接触表面以接触所述发射极金属。

3.如权利要求1的器件，其中每个所述的沟槽之间具有比沟道扩散浓度高的浓度并且有选择性地在设置在沟槽之间所述沟道扩散位置的其他导电类型的沟道扩散，并且高浓度沟道扩散为按照沟道密度调节需求的固定比例选择性覆盖沟道扩散。

4.如权利要求1的器件，其中所述一种导电类型为N型，所述其他导电类型为P型。

5.如权利要求1的器件，其中所述沟槽为横向间隔的直平行沟槽。

6.如权利要求1的器件，其中所述选择性覆盖沟道扩散的其他导电类型沟道扩散，为横向间隔的按比例覆盖的折线型分布。