[发明专利]一种包含叠层式存储器结构的存储器及其操作方法

权利要求书

1.一种操作包含一叠层式存储器结构的一存储器的方法，其中多个多位地址映像到被设置在多个层中的多个对应存储单元，所述方法包含：

响应在一多存储单元集合中储存数据的一编程指令，执行被限制到在一第一集合中多个存储单元的一第一编程操作，所述多存储单元集合对应于一特定多位地址，所述第一集合包含在所述多存储单元集合中的多个存储单元，所述第一集合包含在所述第一集合中多个层的至少两个的多个子集，其中所述第一集合的所述多个子集是由至少两层而与所述第一集合的其余子集分离，以及

然后，完成在所述多存储单元集合中剩余存储单元的编程。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一编程操作使在所述第一集合中的一或多个存储单元改变到一所编程状态且对于在一第二集合中的多个存储单元禁止多存储单元状态中的多个改变，所述第二集合包含在所述多存储单元集合中的多个存储单元；

所述第一编程操作包含施加一第一偏压安排，所述第一偏压安排包含：

施加到在所述第一集合中所述多个存储单元的所述一或多个的一编程电压；以及

施加到在所述第二集合中全部存储单元的一禁止电压；以及

如果要被储存的数据需要在所述第二集合中多存储单元状态的一改变，则执行另一编程操作，以使在所述第二集合中的一或多个存储单元改变到一所编程状态。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述另一编程操作包含施加一第二偏压安排，所述第二偏压安排包含：

施加到在所述第二集合中所述多个存储单元的所述一或多个的一编程电压；以及

施加到在所述多个层的所述第一集合中全部存储单元的一禁止电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一编程操作受配置以便所述第一集合包含一第一子集和一第三子集且所述第二集合包含一第二子集，所述第一子集包含一第一层对，所述第三子集包含一第三层对，所述第二子集包含一第二层对，且其中所述第一层对和所述第三层对由所述第二层对所分离。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述第一层对中的至少一存储单元和在所述第三层对中的至少一存储单元在所述第一编程操作的期间被编程。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二集合包含了包含一第四层对的一第四子集，所述第二层对和所述第四层对由所述第三层对所分离，且其中在所述第二层对中的至少一存储单元和在所述第四层对中的至少一存储单元在所述另一编程操作的期间被编程。

7.根据权利要求2所述的方法，其中为了没有状态改变被需要以储存所述数据，所述第一偏压安排包含施加到在所述多个层的所述第一集合中的所述多个对应存储单元中的多个存储单元的所述禁止电压。

8.根据权利要求1所述的方法，更包含：为了一状态改变被需要以储存所述数据而识别在所述多个对应存储单元中的多个存储单元，且将多个存储单元指定到所述多个层的所述第一集合以便它包含多个所识别存储单元的全部。

9.根据权利要求3所述的方法，其中所述多个层包含所述第一集合、一第二集合和一第三集合，在所述第二集合中的多个层由在所述第三集合中的一层和在所述第一集合中的一层所分离，且所述方法包含：

在施加所述第一编程操作之后，施加用于在所述第二集合中多个存储单元的一第二编程操作，以及然后施加用于在所述第三集合中多个存储单元的一第三编程操作。

10.一种存储器，包含：

一叠层式存储器结构，具有多个多存储单元层，其中多个多位地址映像到被设置在多个层中的多个对应存储单元；以及

耦合于所述叠层式存储器结构的逻辑与控制电路，所述逻辑与控制电路受配置以：

通过执行被限制到在一第一集合中多个存储单元的一第一编程操作，响应在一多存储单元集合中储存数据的一编程指令，所述多存储单元集合对应于一特定多位地址，所述第一集合包含在所述多存储单元集合中的多个存储单元，所述第一集合包含在所述第一集合中多个层的至少两个的多个子集，其中所述第一集合的所述多个子集是由至少两层而与所述第一集合的其余子集分离，且然后，完成在所述多存储单元集合中剩余存储单元的编程。