[发明专利]用于射频集成电路的设备有效
申请号: | 201410017974.0 | 申请日: | 2014-01-15 |
公开(公告)号: | CN103973232B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 约尼·克里斯蒂安·考科沃里;若纳·尤哈尼·雷基;亚里·约翰内斯·海基宁 | 申请(专利权)人: | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F3/45 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 射频 集成电路 设备 | ||
1.一种用于射频集成电路的设备,所述设备包括:
第一输入端;
第二输入端;
其中,所述设备包括自适应操作模式,其中,所述模式从操作模式集中选择,其中,所述集至少包括以下各项:
在被配置为从所述第一输入端接收第一射频波段的单端模式下,所述第一输入端有效;
在被配置为从所述第二输入端接收第二射频波段的单端模式下,所述第二输入端有效;
在被配置为从所述第一输入端和所述第二输入端接收射频波段的差分模式下,所述第一输入端和所述第二输入端有效。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述设备包括被配置为从外部装置获得所述操作模式的操作模式指示器。
3.根据权利要求1或2所述的设备,其中,以控制信号的形式获得所述操作模式。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备,其中,所述第一输入端和所述第二输入端包括输入晶体管。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述设备包括第一辅助晶体管和第二辅助晶体管,所述第一辅助晶体管和第二辅助晶体管的栅极分别连接至所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管的输出端,并且所述第一辅助晶体管和所述第二辅助晶体管被配置为根据所述操作模式创建有源平衡至非平衡转换器。
6.根据权利要求5所述的设备,其中,所述设备还包括第一电容器和第二电容器,其中,所述第一电容器连接在所述第一输入晶体管的输出端与所述第一辅助晶体管的栅极之间,以及所述第二电容器连接在所述第二输入晶体管的输出端与所述第二辅助晶体管的栅极之间。
7.根据权利要求5或6所述的设备,其中,所述输入晶体管和所述辅助晶体管中的每一个连接至朝向低阻抗节点的通用阻抗。
8.根据权利要求5或6所述的设备,其中,所述第一输入晶体管和所述第二辅助晶体管连接至朝向低阻抗节点的第一公共阻抗,以及所述第二输入晶体管和所述第一辅助晶体管连接至朝向低阻抗节点的第二公共阻抗。
9.一种用于射频集成电路的设备,所述设备包括:
用于接收第一输入信号的装置;
用于接收第二输入信号的装置;
用于指示操作模式的装置;
所述设备包括自适应操作模式,其中,所述模式从操作模式集中选择,其中,所述集至少包括以下各项:
在被配置为从所述第一输入端接收第一射频波段的单端模式下,用于接收所述第一输入信号的装置有效;
在被配置为从所述第二输入端接收第二射频波段的单端模式下,用于接收所述第二输入信号的装置有效;
在被配置为从所述第一输入端和所述第二输入端接收射频波段的差分模式下,用于接收所述第一输入信号的装置和用于接收所述第二输入信号的装置有效。
10.一种用于在放大器中进行放大的方法,所述方法包括:
根据操作模式接收用于放大的输入信号,其中,所述操作模式为操作模式集中的一种操作模式,其中,所述集至少包括以下各项:
在单端模式下从第一输入端接收第一射频波段的输入信号;或者
在单端模式下从第二输入端接收第二射频波段的输入信号;或者
在差分模式下从第一输入端和第二输入端接收所述输入信号,
放大接收的所述信号;以及
将放大的所述信号提供给输出端。
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