[发明专利]纳米非晶低钕复相钕铁硼的制作方法有效

专利信息
申请号: 201410019404.5 申请日: 2014-01-16
公开(公告)号: CN103805827A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 周高峰 申请(专利权)人: 宁波金科磁业有限公司
主分类号: C22C33/02 分类号: C22C33/02;B22F3/16;B22F9/04;H01F1/057
代理公司: 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 代理人: 代忠炯
地址: 315156 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 纳米 非晶低钕复相钕铁硼 制作方法
【权利要求书】:

1.一种纳米非晶低钕复相钕铁硼的制作方法,它包括以下步骤:

    a、制作低钕磁性相,它包括以下步骤:

①、配料;按重量百分比为PrNd 20~30%,B 0.93~1.32%,Cu 0.05~0.3%,Ga 0.1~0.9%, Tb 0.05~2.0%,Co 0.5~8%,Ti 0.1~1.5%, Nb0.2~1.6%,余量为Fe的比例配料;

②、将步骤①配好的原材料进行甩片加工,形成铸片;

③、将步骤②所得铸片进行氢碎制粉,得到粒度为0.5mm以下的颗粒;

④、将步骤③氢碎好的粉料进行气流磨制粉,粉料粒度磨到1.5~2um;并将制好的粉料浸在矿物油中备用;

b、制作纳米富钕相,它包括以下步骤:

、配料;按重量百分比为:PrNd 25~35%,B 0.5~1%,Cu 0.01~1.0%,Dy 20~40%, Co 30~40%,Ti 0.1~1.5%, Nb0.2~1.6%,余量为Fe的比例配料;

、将步骤(1)配好的原材料进行甩片加工,得到非晶薄片;

、将步骤(2)所得非晶薄片进行氢碎制粉,得到粒度为0.5mm以下的颗粒;

、将步骤(3)氢碎好的粉料进行气流磨制粉,粉料粒度磨到0.5~2.0um;

c、混料;将低钕磁性相粉料和纳米富钕相粉料按比例进行混料;低钕磁性粉料:纳米富钕相粉料=85~98:15~2;

d、将步骤c混合后的粉料进行成型压制,得到成型产品;

e、将步骤d所得的成型产品进行脱油、脱气、真空烧结;最终得到纳米非晶低钕复相钕铁硼。

2.根据权利要求1所述的纳米非晶低钕复相钕铁硼的制作方法,其特征在于:所述的步骤a的步骤②中,将所述的配好的原材料装入真空感应熔炼炉,抽真空至0.05~0.1Pa,在氩气保护下加热到1700~1800℃,精炼4~6分钟;然后浇注到旋转的铜轮上进行冷却浇注成铸片,控制好冷却水的温度在20~30℃,铸片厚度在0.3~0.5mm之间。

3.根据权利要求1所述的纳米非晶低钕复相钕铁硼的制作方法,其特征在于:所述的步骤a的步骤③中,将所述的铸片装入氢碎炉内,抽真空0.05~0.1Pa,加热到100~300℃,充入氢气至氢碎炉内,气压0.8~1.2atm,开始氢碎1.5~2.5小时;然后抽真空脱氢,脱氢温度500~600℃,时间2~10小时,得到粒度为0.5mm以下的颗粒。

4.根据权利要求1所述的纳米非晶低钕复相钕铁硼的制作方法,其特征在于:所述的步骤a的步骤④中,气流磨制粉时,磨粉压力5~7atm,分级轮转速:3000~4500rpm,进粉量30~40kg/h,氧含量10~40ppm,粒度磨到3~5um;再用球磨机粉碎到1.5~2um。

5.根据权利要求1所述的纳米非晶低钕复相钕铁硼的制作方法,其特征在于:所述的步骤b的步骤(2)中,将所述的原材料装入真空感应非晶甩带炉,抽真空至0.05~0.1Pa,在氩气的保护下加热到1700~1800℃,精炼4~6分钟;然后浇注到高速旋转的铜轮上,得到非晶薄片,控制好冷却水的温度在20~30℃,铸片厚度在0.15~0.25毫米之间。

6.根据权利要求1所述的纳米非晶低钕复相钕铁硼的制作方法,其特征在于:所述的步骤b的步骤(3)中,将所述的铸片装入氢碎炉内,抽真空0.05~0.1Pa,加热到100~300℃,充入氢气至氢碎炉内,气压0.8~1.2atm,开始氢碎1.5~2.5小时;然后抽真空脱氢,脱氢温度500~600℃、时间2~10小时。

7.根据权利要求1所述的纳米非晶低钕复相钕铁硼的制作方法,其特征在于:所述的步骤b的步骤(4)中,气流磨制粉时,磨粉压力4~7atm,分级轮转速:3000~4500rpm,进粉量30~40kg/h,氧含量10~40ppm。

8.根据权利要求1所述的纳米非晶低钕复相钕铁硼的制作方法,其特征在于:在步骤d中,将所述的粉料在磁场中开放成型,磁场强度17000~25000奥斯特,充磁三到五次取向;将成型后的产品再经等静压200~260MPa提高密度。

9.根据权利要求1所述的纳米非晶低钕复相钕铁硼的制作方法,其特征在于:在步骤e中,真空烧结时,真空度:0.01~0.04Pa、温度:1020~1120℃,时间:280~320分钟;再进行时效处理:一级时效:800~930℃x120-240分钟;二级时效:460~600℃x120-360分钟。

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