[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

元件活性部，其存在于衬底的第一主面侧，主动或被动地使电流流动；

第一导电型的低电阻层，其存在于所述衬底的第二主面侧；

纵型漂移部，其介于所述元件活性部和所述低电阻层之间，在导通状态下漂移电流沿纵向流动，而在断开状态下被耗尽，所述纵型漂移部呈由向所述衬底的厚度方向取向的第一纵型第一导电型区域和向所述衬底的厚度方向取向的第一纵型第二导电型区域交替地重复接合而成的第一并列pn结构；

元件边缘部，其在所述纵型漂移部的周围介于所述第一主面和所述低电阻层之间，在导通状态下大致为非电路区域，而在断开状态下被耗尽；

第一导电型层，其在所述第一并列pn结构和所述低电阻层之间设置在整个所述元件活性部和所述元件边缘部，而且其电阻比所述低电阻层高；以及

第二导电型层，其选择性地设置在所述元件边缘部的所述第一导电型层的内部，不与所述第一导电型的低电阻层及所述纵型漂移部相接。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第二导电型层从所述元件活性部和所述元件边缘部的边界设置在整个所述元件边缘部的外周。

3.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征在于，所述元件边缘部呈由向所述衬底的厚度方向取向的第二纵型第一导电型区域和向所述衬底的厚度方向取向的第二纵型第二导电型区域交替地重复接合而成的第二并列pn结构，所述第二导电型层与所述第二并列pn结构分开配置。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述第二并列pn结构的从所述第一主面起算的深度比所述第一并列pn结构的从所述第一主面起算的深度浅，所述第二导电型层通过设置于所述第二并列pn结构与所述第一导电型层之间的第一导电型区域，与所述第二并列pn结构分开。