[发明专利]半导体装置及存储装置有效
申请号: | 201410020238.0 | 申请日: | 2014-01-16 |
公开(公告)号: | CN104425515B | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 岩本正次 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/1157;H01L23/538 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 万利军,陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 存储 | ||
1.一种半导体装置,其具备:
基板,其形成有布线;
控制器芯片,其具有俯视呈长方形形状的表面,将该表面的相反侧朝向所述基板地搭载于所述基板上;和
存储芯片,其具有俯视呈方形形状的表面,将该表面的相反侧朝向所述基板,并在所述控制器芯片的第一长边侧排列地搭载于所述基板上,
在将俯视时沿所述第一长边的方向设为第一方向的情况下,在所述控制器芯片的表面,沿与所述第一方向正交的一个第一短边形成有控制器侧第一端子组,沿与所述第一长边相对的第二长边形成有控制器侧第二端子组,沿所述第一长边形成有控制器侧第三端子组,
所述存储芯片具有:沿与所述第一方向正交且朝向与所述第一短边相同侧的一个边在表面形成有第一存储器侧端子组的第一存储芯片;和沿与所述第一方向正交且朝向与所述第一短边相反的方向的另一个边在表面形成有第二存储器侧端子组的第二存储芯片,
所述第一存储芯片和所述第二存储芯片在所述基板上层叠,
所述第一存储芯片和所述控制器芯片经所述第一存储器侧端子组、所述布线及所述控制器侧第一端子组电连接,
所述第二存储芯片和所述控制器芯片经所述第二存储器侧端子组、所述布线及所述控制器侧第二端子组电连接,
所述第一存储器侧端子组与成为所述控制器芯片侧的相反侧的边的间隔,比其与所述第一存储芯片的表面的所述控制器芯片侧的边的间隔小,
所述第二存储器侧端子组与所述控制器芯片侧的边的间隔,比其与所述第二存储芯片的表面的成为所述控制器芯片侧的相反侧的边的间隔小。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
在所述基板,在成为搭载有所述控制器芯片的面的相反侧的面形成有外部端子,
所述外部端子和所述控制器侧第三端子组经所述布线电连接,
所述第一存储器侧端子组与所述第一长边的距离,比所述第二存储器侧端子组与所述第一长边的距离长。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,
使得所述第二存储芯片和所述控制器芯片电连接的所述布线通过所述控制器芯片的下侧。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,
所述控制器侧第一端子组和所述第一存储器侧端子组的数据输入输出端子以如下方式经所述布线连接:所述控制器侧第一端子组从靠近所述第一长边侧的端子开始依次连接,所述第一存储器侧端子组从成为所述控制器芯片侧的相反侧的边侧的端子开始依次连接,
所述控制器侧第二端子组和所述第二存储器侧端子组的数据输入输出端子以如下方式经所述布线连接:所述控制器侧第二端子组从靠近所述第一短边与所述第二长边相交叉的角部侧的端子开始依次连接,所述第二存储器侧端子组从成为所述控制器芯片侧的相反侧的边侧的端子开始依次连接。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,
在所述控制器芯片中,将控制所述控制器侧第一端子组的电路区域和控制所述控制器侧第二端子组的电路区域,作为一个分区而用接地线包围来实现与其他电路区域电源分离。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,
在与所述控制器芯片的第一短边相对的第二短边,没有形成与所述第一存储器侧端子组和所述第二存储器侧端子组连接的端子组。
7.一种存储装置,其具备:
基板,其形成有布线和外部端子;
半导体控制元件,其具有俯视呈长方形形状的表面,将该表面的相反侧朝向所述基板地搭载于所述基板上;
第一非易失性半导体存储元件,其具有俯视呈方形形状的表面,将该 表面的相反侧朝向所述基板,并在所述半导体控制元件的一个第一长边侧排列地搭载于所述基板上;和
第二非易失性半导体存储元件,其具有俯视呈方形形状的表面,将该表面的相反侧朝向所述基板,并在所述第一非易失性半导体存储元件上重叠地搭载,
在将俯视时沿所述第一长边的方向设为第一方向的情况下,在所述半导体控制元件的表面,沿与所述第一方向正交的一个第一短边形成有控制元件侧第一端子组,沿与所述第一长边相对的第二长边形成有控制元件侧第二端子组,沿所述第一长边形成有控制元件侧第三端子组来作为所述控制元件侧第一端子组及所述控制元件侧第二端子组以外的端子组,
在所述第一非易失性半导体存储元件的表面,沿与所述第一方向正交且朝向与所述第一短边相同侧的一个边形成有第一存储元件侧端子组,
在所述第二非易失性半导体存储元件的表面,沿与所述第一方向正交且朝向与所述第一短边相反的方向的另一个边形成有第二存储元件侧端子组,
所述第一非易失性半导体存储元件与所述半导体控制元件经所述第一存储元件侧端子组、所述布线及所述控制元件侧第一端子组电连接,
在所述基板,在成为搭载有所述半导体控制元件的面的相反侧的面形成有外部端子,所述第二非易失性半导体存储元件与所述半导体控制元件经所述第二存储元件侧端子组、所述布线及所述控制元件侧第二端子组电连接,
所述外部端子与所述半导体控制元件经所述布线及所述控制元件侧第三端子组电连接,
所述第一存储元件侧端子组与所述第一长边的距离,比所述第二存储元件侧端子组与所述第一长边的距离长。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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