[发明专利]半导体装置及存储装置有效

专利信息
申请号: 201410020238.0 申请日: 2014-01-16
公开(公告)号: CN104425515B 公开(公告)日: 2017-09-08
发明(设计)人: 岩本正次 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/1157;H01L23/538
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 万利军,陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 存储
【说明书】:

技术领域

发明的实施方式涉及半导体装置及存储装置。

背景技术

作为搭载有存储芯片和控制器的半导体装置,使用例如在基板上搭载控制器且在其上重叠地搭载存储芯片的半导体装置。在此类半导体装置中,存在在控制器和存储芯片之间填充树脂的装置。

对于此类半导体装置,存在想要抑制向控制器和存储芯片之间填充树脂所花费的成本这一需求。此外,在半导体装置中,存在要求更高速的存储芯片的工作的倾向。

发明内容

本发明的一个实施方式的目的是提供:能抑制向控制器和存储芯片之间填充树脂所花费的成本且能实现更高速的存储芯片的工作的半导体装置。

根据本发明的一个实施方式,半导体装置具备:基板;控制器芯片;和存储芯片。在基板形成有布线。控制器芯片具有俯视呈长方形形状的表面,将该表面朝向基板的相反侧搭载于基板上。存储芯片具有俯视呈方形形状的表面,将该表面朝向基板的相反侧,且在控制器芯片的第一长边侧排列地搭载于基板上。在将俯视时的沿第一长边的方向设为第一方向的情况下,在控制器芯片的表面,沿与第一方向正交的一个第一短边形成控制器侧第一端子组。在控制器芯片的表面,沿与第一长边相对的第二长边形成控制器侧第二端子组。

附图说明

图1是表示第一实施方式涉及的半导体装置的概要内部构成的俯视图。

图2是从控制器芯片侧观察图1所示的半导体装置的侧视图。

图3是示意地表示在存储芯片及控制器芯片的表面形成的端子组彼此的连接状态的图。

图4是表示形成于控制器芯片的电路区域的图。

图5是表示在作为比较例所示的控制器芯片形成的电路区域的图。

图6是从控制器芯片侧观察第一实施方式的变形例涉及的半导体装置的侧视图。

附图标记说明:

1基板 1a搭载面 1b背面 2第一存储芯片(第一非易失性半导体存储元件) 2a表面 21边 22第一存储器侧端子组(第一存储元件侧端子组) 23、24边 3第二存储芯片(第二非易失性半导体存储元件) 3a表面 31边 32第二存储器侧端子组(第二存储元件侧端子组) 33、34边 4控制器芯片(半导体控制元件) 4a表面 41a第一长边 41b第二长边 42a第一短边 42b第二短边 43控制器侧第一端子组(控制元件侧第一端子组) 44控制器侧第二端子组(控制元件侧第二端子组) 45控制器侧第三端子组(控制元件侧第三端子组) 5布线 6接合线 7外部端子 8树脂模铸部 9、10、11接地线 50、60半导体装置(存储装置)

具体实施方式

下面参照附图来详细说明实施方式涉及的半导体装置。再有,本发明并不由该实施方式限定。

第一实施方式

图1是表示第一实施方式涉及的半导体装置的概要内部构成的俯视图。图2是从控制器芯片侧观察图1所示的半导体装置的侧视图。半导体装置(存储装置)50具备:基板1;第一存储芯片(第一非易失性半导体存储元件)2;第二存储芯片(第二非易失性半导体存储元件)3;和控制器芯片(半导体控制元件)4。

基板1是在其表层和/或内层形成有布线5的布线基板。第一存储芯片2及第二存储芯片3是非易失性半导体存储元件,是例如NAND闪存。第一存储芯片2及第二存储芯片3俯视时其表面2a、3a的形状呈方形形状。

控制器芯片4是控制第一存储芯片2及第二存储芯片3的半导体控制元件。例如,控制向第一存储芯片2及第二存储芯片3写入数据和/或从第一存储芯片2及第二存储芯片3读取数据。控制器芯片4俯视时其表面4a的形状呈长方形形状。

在以下的说明中,将控制器芯片4的表面4a的各边中的、一个长边称为第一长边41a,并将另一长边称为第二长边41b。此外,将控制器芯片4的表面4a的各边中的、一个短边称为第一短边42a,并将另一短边称为第二短边42b。此外,将沿控制器芯片4的第一长边41a的方向设为箭头X所示的方向(第一方向),且将沿第一短边42a的方向设为箭头Y所示的方向(第二方向)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社,未经东芝存储器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410020238.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top