[发明专利]一种显示面板及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，包括触控扫描电极和触控感应电极，其特征在于，所述触控扫描电极和/或所述触控感应电极中设置有至少一个隔断层，所述隔断层将所述触控扫描电极或所述触控感应电极分隔为至少两个电极子层，所述电极子层采用具有由非晶性质转变为多晶性质的电极材料形成，所述隔断层用于防止所述电极材料在晶化工艺前发生晶化反应，所述隔断层采用具有低电阻率、且光透过率范围为大于等于60％的金属导体材料形成，所述隔断层的层数大于或等于2层，小于或等于5层，所述隔断层的厚度范围为

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电极材料包括氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟或氧化锌中任一种或组合。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属导体材料包括Cr、W、Ti、Ta、Mo、AlNd、Cu、Ag、Al中任一种或上述金属中任意多种金属的合金。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述电极子层的厚度范围为

5.根据权利要求1-4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述触控扫描电极和所述触控感应电极均为条状形状、且所述触控扫描电极和所述触控感应电极互相异面相交。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板，所述触控扫描电极和所述触控感应电极共同设置于所述阵列基板中；

或者，所述显示面板包括彩膜基板和阵列基板，所述触控扫描电极设置于所述彩膜基板或所述阵列基板中，所述触控感应电极设置于所述阵列基板或所述彩膜基板中；或者，所述触控扫描电极和所述触控感应电极共同设置于所述彩膜基板中或所述阵列基板中。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的显示面板。

8.一种显示面板的制备方法，包括形成触控扫描电极和触控感应电极的步骤，其特征在于，形成所述触控扫描电极和/或所述触控感应电极的步骤包括：

在基底上依次形成非晶的电极子膜层、隔断膜层和非晶的电极子膜层，所述隔断膜层采用具有低电阻率、且光透过率范围为大于等于60％的金属导体材料形成，所述隔断膜层的层数大于或等于2层，小于或等于5层，所述隔断膜层的厚度范围为

对上述非晶的所述电极子膜层和所述隔断膜层进行构图工艺，形成包括所述触控扫描电极或所述触控感应电极的图形；

将上述所述触控扫描电极或所述触控感应电极进行晶化。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在将非晶的所述电极子膜层、所述隔断膜层和非晶的所述电极子膜层进行构图工艺之前，还进一步包括：在所述电极子膜层的上方继续依次形成所述隔断膜层和非晶的所述电极子膜层，直至所有所述电极子膜层和所述隔断膜层的厚度之和达到所述触控扫描电极或所述触控感应电极的预设厚度范围，所述预设厚度范围为

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述基底为能用于形成彩膜层的彩膜基板，或者为能用于形成薄膜晶体管阵列的阵列基板。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，形成非晶的所述电极子膜层采用溅射沉积工艺，该溅射沉积工艺的沉积温度范围为20-30℃；形成所述隔断膜层采用溅射沉积工艺，该溅射沉积工艺的沉积温度范围为10-50℃。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，将所述触控扫描电极或所述触控感应电极进行晶化采用退火工艺。