[发明专利]具阻隔结构的敷铜基板及其制造方法

权利要求书

1.一种具阻隔结构的敷铜基板，其包含有一承载区以及一阻隔区，该承载区可供一芯片电性连接之用，该阻隔区形成于该承载区的周围。

2.根据权利要求1所述具阻隔结构的敷铜基板，其中，包含有至少一导电片，该至少一导电片设于该芯片与该基板的承载区之间，以供该芯片电性连接于该基板。

3.一种具阻隔结构的敷铜基板，其包含有复数个承载区以及复数个阻隔区，各该承载区可供各该芯片电性连接之用，各该阻隔区形成于各该承载区的周围，以阻隔各该承载区。

4.根据权利要求3所述具阻隔结构的敷铜基板，其中，包含有复数个导电片，各该导电片固设于各该芯片与各该基板的承载区之间，以供各该芯片电性连接于该基板。

5.根据权利要求1或3所述具阻隔结构的敷铜基板，其中，该基板的阻隔区为一凹槽。

6.根据权利要求1或3所述具阻隔结构的敷铜基板，其中，该基板的阻隔区为一挡墙。

7.根据权利要求1或3所述具阻隔结构的敷铜基板，其中，该基板为一陶瓷层以及形成于该陶瓷层上下表面的覆铜层所构成。

8.一种具阻隔结构的敷铜基板的制造方法，包含有下列步骤：

提供一基板且分别定义出至少一承载区以及至少一形成于该至少一承载区周围的阻隔区；

提供至少一芯片于该至少一承载区；以及

提供一连接手段于该至少一芯片与该至少一承载区之间，以供电性连接之用。

9.根据权利要求8所述具阻隔结构的敷铜基板的制造方法，其中，定义该至少一阻隔区包括有提供一光罩并经由一曝光显影工艺后，蚀刻形成至少一凹槽的步骤。

10.根据权利要求8所述具阻隔结构的敷铜基板的制造方法，其中，定义该至少一阻隔区包括有提供一光罩并以沉积或溅镀工艺形成至少一挡墙的步骤。

11.根据权利要求8所述具阻隔结构的敷铜基板的制造方法，其中，该基板包括于一陶瓷层的上下表面分别形成一覆铜层的步骤。

12.根据权利要求8所述具阻隔结构的敷铜基板的制造方法，其中，该连接手段是先提供至少一导电片于该至少一芯片与该至少一承载区之间，并经过一回焊工艺将该至少一芯片电性连接于该至少一承载区。