[发明专利]一种显示面板制作方法

权利要求书

1.一种显示面板制作方法，其用于制作具有轻掺杂漏极结构薄膜晶体管(16)矩阵的显示面板(1)，该显示面板制作方法包括：

提供一基板(10)；

在所述基板(10)上形成具有预定形状的半导体图案(12)；

在所述基板(10)形成一覆盖所述半导体图案(12)的介电层(13)；

在所述介电层(13)上形成一金属层(14)；

在所述金属层(14)上位于半导体图案(12)的正上方形成一尺寸小于所述半导体图案(12)的光阻图案(15)；

蚀刻所述金属层(14)以形成一尺寸小于光阻图案(15)的栅极(14a)；

利用所述光阻图案(15)作为掩膜进行一高浓度离子掺杂，以使得所述半导体图案(12)未被光阻图案(15)覆盖的部分形成重掺杂区(12a)；

移除所述光阻图案(15)；

利用所述栅极(14a)作为掩膜进行一低浓度离子掺杂，以在所述重掺杂区(12a)与被所述栅极(14a)覆盖的半导体图案(12)区域之间形成轻掺杂区(12b)。

2.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，经蚀刻金属层(14)所形成的栅极(14a)的中心与所述光阻图案(15)的中心对齐，所述栅极(14a)相对两侧的边缘相对所述光阻图案(15)对应两侧边缘向内凹入一预设的水平距离(L2)。

3.如权利要求2所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述栅极(14a)边缘相对光阻图案(15)的边缘向内凹入的水平距离(L2)为0.5～1.5μm。

4.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，蚀刻所述金属层(14)的方式选自干蚀刻及湿蚀刻中的一种。

5.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述半导体图案(12)的材料为非晶硅经过准分子激光退火结晶(Excimer Laser Annealing，ELA)、金属诱发结晶(Metal-induced crystallization，MIC)或固相再结晶(Solid Phase Crystallization，SPC)而形成的低温多晶硅(Low Temperature Polycrystalline silicon)。

6.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，在所述基板(10)上形成半导体图案(12)前还可以先在所述基板(10)上形成一缓冲层(11)。

7.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，在完成所述低浓度离子掺杂后将所述半导体图案(12)经掺杂后的区域加热至400摄氏度与1000摄氏度之间以活化轻掺杂区(12b)与重掺杂区(12a)内的带电离子。

8.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述金属层(14)以溅镀的方式形成在所述介电层(13)上。

9.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述光阻图案(15)在半导体图案(12)上的投影位于所述半导体图案(12)的中部。

10.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述光阻图案(15)的相对两侧边缘在半导体图案(12)上的投影与所述半导体图案(12)对应的两侧边缘的距离相等。