[发明专利]一种显示面板制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板制作方法，尤其涉及一种具有轻掺杂漏极(Lightly Doped Drain，LDD)结构薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的显示面板制作方法。

背景技术

现有采用自对准方式制作具有LDD结构TFT的方法大多需要对TFT的栅极金属层进行重复蚀刻。对栅极金属层的第一次蚀刻定义出半导体层内重掺杂区的位置。对栅极金属层的第二次蚀刻定义出半导体层内轻掺杂区的位置。所以，采用对栅极金属层重复蚀刻方法制成的LDD结构的尺寸因受到多次蚀刻误差的影响，其精度较低。而且，多次蚀刻也增加了光罩次数提高了显示面板的制造成本。

因此，需要提供能够解决上述问题的显示面板制作方法。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示面板制作方法，其用于制作具有轻掺杂漏极结构薄膜晶体管矩阵的显示面板，该显示面板制作方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成具有预定形状的半导体图案；

在所述基板形成一覆盖所述半导体图案的介电层；

在所述介电层上形成一金属层；

在所述金属层上位于半导体图案的正上方形成一尺寸小于所述半导体图案的光阻图案；

蚀刻所述金属层以形成一尺寸小于光阻图案的栅极；

利用所述光阻图案作为掩膜进行一高浓度离子掺杂，以使得所述半导体图案未被光阻图案覆盖的部分形成重掺杂区；

移除所述光阻图案；

利用所述栅极作为掩膜进行一低浓度离子掺杂，以在所述重掺杂区与被所述栅极覆盖的半导体图案区域之间形成轻掺杂区。

其中，经蚀刻金属层所形成的栅极的中心与所述光阻图案的中心对齐。所述栅极相对两侧的边缘相对所述光阻图案对应两侧边缘向内凹入一预设的水平距离。

其中，所述栅极边缘相对光阻图案的边缘向内凹入的水平距离为0.5～1.5μm。

其中，蚀刻所述金属层的方式选自干蚀刻及湿蚀刻中的一种。

其中，所述半导体图案的材料为非晶硅经过准分子激光退火结晶(Excimer Laser Annealing，ELA)、金属诱发结晶(Metal-induced crystallization，MIC)、固相再结晶(Solid Phase Crystallization，SPC)而形成的低温多晶硅(Low Temperature Polycrystalline Silicon)。

其中，在所述基板上形成半导体图案前还可以先在所述基板上形成一缓冲层。

其中，在完成所述低浓度离子掺杂后将所述半导体图案经掺杂后的区域加热至400摄氏度与1000摄氏度之间以活化轻掺杂区与重掺杂区内的带电离子。

其中，所述金属层以溅镀的方式形成在所述介电层上。

其中，所述光阻图案在半导体图案上的投影位于所述半导体图案的中部。

其中，所述光阻图案的相对两侧边缘在半导体图案上的投影与所述半导体图案对应的两侧边缘的距离相等。

本发明所提供的显示面板制作方法只需要对栅极金属层进行一次蚀刻，不仅减少了制程步骤，还避免了多次蚀刻所造成的叠加误差，提高了LDD结构的尺寸精度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例所提供的显示面板制作方法的步骤流程图。

图2是采用图1所示的显示面板制作方法制成的显示面板结构示意图。

图3-图12为图1所示的显示面板制作方法各步骤的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明实施例所提供的显示面板制作方法用于制作适用于液晶显示器或有机发光二极管显示器的显示面板1。如图2所示，所述显示面板1包括基板10及设置在基板上呈矩阵状排列的TFT16。所述TFT16具有LDD结构。所述显示面板制作方法包括如下步骤：