[发明专利]接触结构以及采用所述接触结构的半导体存储元件

权利要求书

1.一种半导体存储元件，其特征在于，包含：

一基材，其上包含一存储阵列区域以及一外围电路区域；

一第一介电层，覆盖所述存储阵列区域以及所述外围电路区域；

一第二介电层，位于所述第一介电层上，覆盖所述存储阵列区域以及所述外围电路区域；

一第一开孔位于所述存储阵列区域，其中所述第一开孔具有一第一表面；

一第二开孔位于所述外围电路区域，其中所述第二开孔具有一第二表面；

至少一电容结构，位于所述存储阵列区域内，且所述电容结构包含一电极材料层，埋设在所述第二介电层中，其中所述电极材料层是所述电容结构的一下电极；

一第一接触结构，位于所述第一开孔内，其中所述电极材料层连续共形的覆盖在所述第一开孔的全部所述第一表面上，以及

一第二接触结构，位于所述第二开孔内，其中所述电极材料层连续共形的覆盖在所述第一开孔的全部所述第二表面上，其中所述电容结构与所述第一开孔及所述第二开孔具有相同的高度，所述第一接触结构位于所述存储阵列区域内以及所述第二接触结构位于所述外围电路区域内。

2.根据权利要求1所述的半导体存储元件，其特征在于，所述第一介电层中埋设有一第一插塞以及一第二插塞。

3.根据权利要求2所述的半导体存储元件，其特征在于，所述第一插塞电连接至所述电容结构的所述下电极。

4.根据权利要求2所述的半导体存储元件，其特征在于，所述第二插塞直接接触所述第一开孔以及所述第二开孔內的所述电极材料层。

5.根据权利要求1所述的半导体存储元件，其特征在于，所述第一接触结构以及所述第二接触结构另包含一接触材料层，位于所述电极材料层上。

6.根据权利要求1所述的半导体存储元件，其特征在于，所述第一接触结构以及所述第二接触结构埋设在所述第二介电层中。

7.根据权利要求2所述的半导体存储元件，其特征在于，所述第一插塞与所述第二插塞为钨插塞。

8.根据权利要求1所述的半导体存储元件，其特征在于，所述电极材料层包含氮化钛。

9.根据权利要求5所述的半导体存储元件，其特征在于，所述第一接触结构以及所述第二接触结构包含钛或氮化钛。

10.根据权利要求7所述的半导体存储元件，其特征在于，所述接触材料层完全填满所述第一开孔以及第二开孔。