[发明专利]千兆赫基频低相噪振荡电路

权利要求书

1.一种千兆赫基频低相噪振荡电路，其特征是：包括振荡环路，所述振荡环路包括低噪声放大器（2）及用于对低噪声放大器（2）相位进行补偿的双端口声表面波谐振器（1）；所述低噪声放大器（2）的输入端与双端口声表面波谐振器（1）的输出端连接，低噪声放大器（2）的输出端与双端口声表面波谐振器（1）的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的千兆赫基频低相噪振荡电路，其特征是：所述低噪声放大器（2）的输出端与缓冲放大器（3）相连。

3.根据权利要求1所述的千兆赫基频低相噪振荡电路，其特征是：所述低噪声放大器（2）的输出端通过隔直电容（C5）与缓冲放大器（3）连接。

4.根据权利要求1所述的千兆赫基频低相噪振荡电路，其特征是：所述低噪声放大器（2）包括高频三极管（Q1），所述高频三极管（Q1）的基极端与第一电阻（R1）的一端及第二电阻（R2）的一端连接，第二电阻（R2）的另一端接地，第一电阻（R1）的另一端与第一电容（C1）的一端、第二电容（C2）的一端、第一电感（L1）的一端及第三电阻（R3）的一端连接，第一电容（C1）的另一端及第二电容（C2）的另一端均接地，第一电感（L1）的另一端与高频三极管（Q1）的集电极端连接，高频三极管（Q1）的发射极端接地；第三电阻（R3）的另一端与第三电容（C3）的一端及第四电容（C4）的一端连接，第三电容（C3）的另一端及第四电容（C4）的另一端接地。

5.根据权利要求4所述的千兆赫基频低相噪振荡电路，其特征是：所述高频三极管（Q1）为噪声系数小于1，截止频率高于7GHz的NPN三极管。

6.根据权利要求1所述的千兆赫基频低相噪振荡电路，其特征是：所述双端口声表面波谐振器（1）包括第一反射栅（4）及第二反射栅（7）；所述第一反射栅（4）与第二反射栅（7）间设有第一换能器（5）及第二换能器（6），第一换能器（5）邻近第一反射栅（4），第二换能器（6）位于第一换能器（5）与第二反射栅（7）间；第一换能器（5）的第一换能器第二端接地，第二换能器（6）的第二换能器第二端接地，第一换能器（5）的第一换能器第一端形成双端口声表面波谐振器（1）的输入端，第二换能器（6）的第二换能器第一端形成双端口声表面波谐振器（2）的输出端，第一换能器（5）的第一换能器第二端与第二换能器（6）的第二换能器第二端位于第一反射栅（4）的同一端。

7.根据权利要求1所述的千兆赫基频低相噪振荡电路，其特征是：所述双端口声表面波谐振器（1）包括第一反射栅（4）及第二反射栅（7）；所述第一反射栅（4）与第二反射栅（7）间设有第一换能器（5）及第二换能器（6），第一换能器（5）邻近第一反射栅（4），第二换能器（6）位于第一换能器（5）与第二反射栅（7）间；第一换能器（5）的第一换能器第一端接地，第二换能器（6）的第二换能器第二端接地，第一换能器（5）的第一换能器第二端形成双端口声表面波谐振器（1）的输入端，第二换能器（6）的第二换能器第一端形成双端口声表面波谐振器（2）的输出端，第一换能器（5）的第一换能器第二端与第二换能器（6）的第二换能器第二端分别位于第一反射栅（4）的两端。