[发明专利]千兆赫基频低相噪振荡电路有效
申请号: | 201410028348.1 | 申请日: | 2014-01-21 |
公开(公告)号: | CN103746656B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 陈书明;王建中;林恒 | 申请(专利权)人: | 无锡华普微电子有限公司 |
主分类号: | H03B5/30 | 分类号: | H03B5/30 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214035 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 兆赫 基频 低相噪 振荡 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种电路结构,尤其是一种千兆赫基频低相噪振荡电路,属于振荡电路的技术领域。
背景技术
电子信息处理与传输已广泛应用于广播电视、导航、雷达、光纤及移动通信等领域,随着电子技术的发展,对电子信息处理、传输速度及小型化的要求日益提高;如机载信息处理系统(雷达、导航、身份识别等)对频率源的谐波、杂波、相位噪声及体积质量提出了严格要求;云计算机与高速大容量通信系统对时钟电路的速度、抖动性能提出了新要求,传统的晶体锁相电路已不能胜任高频高速的要求。
现有的千兆赫频率源一般采用晶振稳频,应用倍频或锁相技术获得所需要的频率,但电路构成复杂,功耗大、体积大;谐波、杂波多,本底噪声恶化。另外,千兆赫频率源采用介质谐振器稳频时,调试复杂,重量大、体积大、频率温度系数大。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种千兆赫基频低相噪振荡电路,其结构简单紧凑,谐波、杂波低,功耗低,体积小,适应范围广,安全可靠。
按照本发明提供的技术方案,所述千兆赫基频低相噪振荡电路,包括振荡环路,所述振荡环路包括低噪声放大器及用于对低噪声放大器相位进行补偿的双端口声表面波谐振器;所述低噪声放大器的输入端与双端口声表面波谐振器的输出端连接,低噪声放大器的输出端与双端口声表面波谐振器的输入端连接。
所述低噪声放大器的输出端与缓冲放大器相连。所述低噪声放大器的输出端通过隔直电容与缓冲放大器连接。
所述低噪声放大器包括高频三极管,所述高频三极管的基极端与第一电阻的一端及第二电阻的一端连接,第二电阻的另一端接地,第一电阻的另一端与第一电容的一端、第二电容的一端、第一电感的一端及第三电阻的一端连接,第一电容的另一端及第二电容的另一端均接地,第一电感的另一端与高频三极管的集电极端连接,高频三极管的发射极端接地;第三电阻的另一端与第三电容的一端及第四电容的一端连接,第三电容的另一端及第四电容的另一端接地。
所述高频三极管为噪声系数小于1,截止频率高于7GHz的NPN三极管。
所述双端口声表面波谐振器包括第一反射栅及第二反射栅;所述第一反射栅与第二反射栅间设有第一换能器及第二换能器,第一换能器邻近第一反射栅,第二换能器位于第一换能器与第二反射栅间;第一换能器的第一换能器第二端接地,第二换能器的第二换能器第二端接地,第一换能器的第一换能器第一端形成双端口声表面波谐振器的输入端,第二换能器的第二换能器第一端形成双端口声表面波谐振器的输出端,第一换能器的第一换能器第二端与第二换能器的第二换能器第二端位于第一反射栅的同一端。
所述双端口声表面波谐振器包括第一反射栅及第二反射栅;所述第一反射栅与第二反射栅间设有第一换能器及第二换能器,第一换能器邻近第一反射栅,第二换能器位于第一换能器与第二反射栅间;第一换能器的第一换能器第一端接地,第二换能器的第二换能器第二端接地,第一换能器的第一换能器第二端形成双端口声表面波谐振器的输入端,第二换能器的第二换能器第一端形成双端口声表面波谐振器的输出端,第一换能器的第一换能器第二端与第二换能器的第二换能器第二端分别位于第一反射栅的两端。
本发明的优点:双端口声表面波谐振器完全接入振荡环路,既作为稳频元件又起到相位调节的作用,不用其他移相元件,提高了振荡环路的Q值,保证了振荡环路低相噪;振荡环路采用基频工作,谐波杂波低,满足机载信息处理系统、云计算机及高速大容量(光纤、无线)通信对频率源高频高速低相噪的需求,电路结构简单紧凑,功耗低,体积小,重量轻,适应范围广,安全可靠。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明双端口声表面波谐振器的一种实施示意图。
图3为本发明双端口声表面波谐振器的另一种实施示意图。
附图标记说明:1-双端口声表面波谐振器、2-低噪声放大器、3-缓冲放大器、4-第一反射栅、5-第一换能器、6-第二换能器、7-第二反射栅、8-第一换能器第一端、9-第一换能器第二端、10-第二换能器第一端及11-第二换能器第二端。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。
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