[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410031140.5 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104183628A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杉浦政幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
栅电极，由以第1间隔并列配置的多个第1部分、和连接所述多个第1部分的第2部分构成，隔着栅极绝缘膜地设置；
源极区域以及漏极区域，设置于所述多个第1部分之间；
体接触区域，相对所述第2部分配置于与所述源极区域以及漏极区域相反的一侧；以及
体偏置控制电极，与所述第2部分并列，且设置于所述体接触区域上，与所述第2部分之间的第2间隔大于所述第1间隔，与所述体接触区域连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在由硅基板、埋入氧化膜、以及体区域构成的SOI基板的所述体区域形成有元件形成区域。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述体接触区域是与所述体区域相同的导电类型，所述体接触区域的杂质浓度高于所述体区域。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述体接触区域是与所述体区域相反的导电类型，所述体接触区域的杂质浓度高于所述体区域，所述体接触区域与所述体区域一起形成PN二极管。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
所述体接触区域通过所述体区域分离为第1体接触区域以及第2体接触区域，所述第1体接触区域与所述第2部分邻接，在与所述第2部分并列并相离的所述第2体接触区域上设置所述体偏置控制电极。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
在第1体接触区域以及第2体接触区域之间的所述体区域上隔着所述栅极绝缘膜设置第1控制电极。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述体接触区域是与所述体区域相反的导电类型，并通过杂质浓度比所述体接触区域低并且导电类型与所述体接触区域相同的半导体层，分离为第1体接触区域以及第2体接触区域，所述第1体接触区域与所述第2部分邻接，在与所述第2部分并列并相离的所述第2体接触区域上设置所述体偏置控制电极。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2间隔比所述第1间隔大2倍以上。
9.根据权利要求1至7中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置被应用于高频半导体开关。
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