[发明专利]可挠性电子装置在审
申请号: | 201410031861.6 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN103972264A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 彭懿正;何长安 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国;常大军 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠性 电子 装置 | ||
1.一种可挠性电子装置,其特征在于,包括元件部以及与该元件部连接的至少一折弯部,且该可挠性电子装置具有位于单一该折弯部上的多条折线以及多个应力释放开孔,其中该些应力释放开孔彼此分离,且至少部分该些应力释放开孔位于至少其中一条折线上。
2.根据权利要求1所述的可挠性电子装置,其特征在于,该些折线彼此平行。
3.根据权利要求1所述的可挠性电子装置,其特征在于,有另一部分该些应力释放开孔不位于任一条折线上且沿着一条直线排列。
4.根据权利要求3所述的可挠性电子装置,其特征在于,位于其中一条折线上的其中一应力释放开孔与位于该直线上的对应的一应力释放开孔沿着排列方向排列,且该排列方向与该直线以及该其中一条折线垂直。
5.根据权利要求3所述的可挠性电子装置,其特征在于,位于其中一条折线上的其中一应力释放开孔与位于该直线上的对应的一应力释放开孔不沿着排列方向排列,且该排列方向与该直线以及该其中一折线垂直。
6.根据权利要求1所述的可挠性电子装置,其特征在于,至少部分该些应力释放开孔同时通过两条折线。
7.根据权利要求1所述的可挠性电子装置,其特征在于,该可挠性电子装置具有至少一凹口,该凹口自该可挠性电子装置的边缘往该元件部延伸以将该折弯部区分成多个子区域,其中该些应力释放开孔至少位于其中一个子区域上。
8.根据权利要求7所述的可挠性电子装置,其特征在于,该些应力释放开孔仅位于其中一个子区域上。
9.根据权利要求1所述的可挠性电子装置,其特征在于,该元件部包括:
载板;
有机发光元件,配置于该载板上;以及
盖板,配置于该载板上,并且覆盖该有机发光元件,其中该载板未被该盖板所覆盖的区域为该折弯部。
10.一种可挠性电子装置,其特征在于,包括元件部以及与该元件部连接的至少一折弯部,且该可挠性电子装置具有位于单一该折弯部上的多条折线,其中该折弯部包括位于该折弯部边缘的一反折部,该反折部接合至该元件部。
11.根据权利要求10所述的可挠性电子装置,其特征在于,该反折部和该元件部通过接合层接合在一起。
12.根据权利要求11所述的可挠性电子装置,其特征在于,该接合层仅设置于该反折部与该元件部重叠的区域。
13.根据权利要求11所述的可挠性电子装置,其特征在于,该接合层覆盖部分该元件部。
14.根据权利要求11所述的可挠性电子装置,其特征在于,该接合层全面覆盖该元件部。
15.根据权利要求10所述的可挠性电子装置,其特征在于,更包括基板,设置在该元件部上且位于该反折部和该元件部之间,该反折部、该元件部以及该基板通过接合层接合在一起。
16.根据权利要求10所述的可挠性电子装置,其特征在于,该元件部包括载板,且该载板包括第一部以及第二部,该第一部的厚度小于该第二部的厚度,该第一部邻接该折弯部且连接于第二部和折弯部之间,该反折部以及该第一部通过接合层接合在一起。
17.根据权利要求16所述的可挠性电子装置,其特征在于,该第一部的厚度与该折弯部的厚度相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的