[发明专利]可挠性电子装置在审
申请号: | 201410031861.6 | 申请日: | 2014-01-23 |
公开(公告)号: | CN103972264A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 彭懿正;何长安 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国;常大军 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠性 电子 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种电子元件,且特别涉及一种可挠性电子装置。
背景技术
由于可挠性电子装置具有轻薄、可挠曲、耐冲击、安全性高以及方便携带等特性,因此可挠性电子装置势必会成为下一世代的主流。基于狭缘化或信号导通的设计需求,可挠性电子装置中用来承载电子元件的载板在组装时经常会被折叠或挠曲。
然而,当可挠性电子装置被挠曲时,应力将集中于组装时已折叠或挠曲的载板的弯曲处,而导致应力干涉、应力潜变、载板皱折、局部变形或信号接点(如外部端子区)被破坏等现象。因此,如何同时兼顾狭缘化以及解决应力集中的问题,实为本领域技术人员亟欲解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可挠性电子装置,其可配合狭缘化设计需求并且减缓应力集中的问题。
本发明的可挠性电子装置包括一元件部(device portion)以及与元件部连接的至少一折弯部(folded portion)。可挠性电子装置具有位于单一折弯部上的多条折线以及多个应力释放开孔,其中应力释放开孔彼此分离,且至少部分应力释放开孔位于至少其中一条折线上。
本发明的可挠性电子装置包括一元件部以及与元件部连接的至少一折弯部。可挠性电子装置具有位于单一折弯部上的多条折线,其中折弯部包括位于折弯部边缘的一反折部(reflexed portion),反折部接合至元件部。
基于上述,本发明实施例的可挠性电子装置实现狭缘化甚至无边框的设计需求,并且于折弯部上设置多个应力释放开孔以减少应力集中的程度,进而确保可挠性电子装置的品质并增加其使用寿命。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明一实施例的可挠性电子装置的展开示意图;
图2为图1的可挠性电子装置的立体侧视图;
图3A为图2的剖线A-A’的剖视示意图;
图3B为本发明另一实施例的可挠式电子装置的剖视示意图;
图3C为本发明另一实施例的可挠式电子装置的剖视示意图;
图4为本实施例的可挠性电子装置被挠曲的结构示意图;
图5为本发明另一实施例的可挠性电子装置的立体侧视图;
图6为本发明另一实施例的可挠性电子装置的展开示意图;
图7为图6的可挠性电子装置的立体侧视图;
图8为本发明另一实施例的可挠性电子装置的展开示意图;
图9为本发明另一实施例的可挠性电子装置的展开示意图;
图10为图9的可挠性电子装置的立体侧视图;
图11为本发明另一实施例的可挠性电子装置的展开示意图;
图12为图11的可挠性电子装置的立体侧视图;
图13为图12的剖线B-B’的剖视示意图;
图14为本发明另一实施例的可挠性电子装置的局部剖视示意图;
图15为本发明另一实施例的可挠性电子装置的局部剖视示意图。
其中,附图标记
100a、100b、100c、100c’、100d、100e、100f:可挠性电子装置
102:载板
102a:第一部
102b:第二部
104、104a、104b:有机发光元件
106、106a、106b:盖板
110:元件部
110a:前表面
110b:背面
120:折弯部
120s:子区域
122:侧边部
124:反折部
124a:边缘
130:接合层
140:基板
A:虚线
D:排列方向
F、F1、F2:折线
G:外部端子区
H、H1、H2:应力释放开孔
L:直线
N:凹口
A-A’、B-B’:剖线
S:断差
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述:
图1为本发明一实施例的可挠性电子装置的展开示意图。图2为图1的可挠性电子装置的立体侧视图。请参照图1和图2,可挠性电子装置100a包括元件部110以及至少一折弯部120,其中折弯部120与元件部110连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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