[发明专利]场效应管的制造方法在审
| 申请号： | 201410032142.6 | 申请日： | 2014-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN104810284A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲;马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 制造 方法 | ||
1.一种场效应管的制造方法，其特征在于，包括：
在初始氧化层的表面形成有源区和环区；
在第一设定温度和第一设定含氧量的条件下，在所述初始氧化层、有源区和环区的表面形成沟槽掩膜；
在所述有源区表面的沟槽掩膜上形成沟槽。
2.根据权利要求1所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述在所述初始氧化层、有源区和环区的表面形成沟槽掩膜，包括：
在设定时间内，采用炉管工艺在所述初始氧化层、有源区和环区的表面形成沟槽掩膜。
3.根据权利要求2所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述第一设定温度在900摄氏度至1100摄氏度之间。
4.根据权利要求3所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述第一设定温度为1000摄氏度。
5.根据权利要求4所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述设定时间为60分钟。
6.根据权利要求5所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述在所述有源区表面的沟槽掩膜上形成沟槽，包括：
对所述有源区表面的沟槽掩膜进行刻蚀，以去除待形成沟槽的有源区表面的沟槽掩膜；
在所述待形成沟槽的有源区表面形成所述沟槽。
7.权利要求1-6任一项所述的场效应管的制造方法，其特征在于，在所述初始氧化层的表面形成环区，包括:
在第二设定温度和第二设定含氧量的条件下，采用所述炉管工艺在所述初始氧化层的表面形成所述环区。
8.权利要求7所述的场效应管的制造方法，其特征在于：
所述第一设定温度和第二设定温度不同；
所述第一设定含氧量和第二设定含氧量不同。
9.权利要求8所述的场效应管的制造方法，其特征在于，所述第二设定温度为1150摄氏度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
