[发明专利]场效应管的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术，尤其涉及一种场效应管的制造方法。

背景技术

场效应管是电压控制的一种放大器件，是组成数字集成电路的基本单元，通常分为互补金属氧化物半导体场效应管（Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称CMOS）和扩散金属氧化物半导体场效应管（Double-diffused Metal Oxide Semiconductor，简称DMOS）。其中，DMOS器件具有高电流驱动能力、低导通电阻以及较高的击穿电压等优点，广泛应用在集成电路领域中。对应的，驱动电流、导通电阻以及启动电压等电性参数成为影响DMOS器件质量的重要因素，是在DMOS器件的制造过程中决定的。

现有的DMOS器件制造过程中，在完成环区驱入后，需要对初始氧化层的表面进行清洗，以去除驱入过程中残留的氨水等物质，然后再采用化学气相淀积法生长沟槽掩膜。但由于对初始氧化层表面进行清洗的过程通常采用去离子水等溶液进行清洗，容易出现清洗不净或残留水痕的情况，可能会影响DMOS器件的电性参数，降低了成品率。

发明内容

本发明提供一种场效应管的制造方法，用于解决现有的制造方法成品率较低的问题，以提高场效应管的制造成品率。

本发明实施例提供一种场效应管的制造方法，包括：

在初始氧化层的表面形成有源区和环区；

在第一设定温度和第一设定含氧量的条件下，在所述初始氧化层、有源区和环区的表面形成沟槽掩膜；

在所述有源区表面的沟槽掩膜上形成沟槽。

如上所述的场效应管的制造方法，所述在所述初始氧化层、有源区和环区的表面形成沟槽掩膜，包括：

在设定时间内，采用炉管工艺在所述初始氧化层、有源区和环区的表面形成沟槽掩膜。

如上所述的场效应管的制造方法，所述第一设定温度在900摄氏度至1100摄氏度之间。

如上所述的场效应管的制造方法，所述第一设定温度为1000摄氏度。

如上所述的场效应管的制造方法，所述设定时间为60分钟。

如上所述的场效应管的制造方法，所述在所述有源区表面的沟槽掩膜上形成沟槽，包括：

对所述有源区表面的沟槽掩膜进行刻蚀，以去除待形成沟槽的有源区表面的沟槽掩膜；

在所述待形成沟槽的有源区表面形成所述沟槽。

如上所述的场效应管的制造方法，在所述初始氧化层的表面形成环区，包括:在第二设定温度和第二设定含氧量的条件下，采用所述炉管工艺在所述初始氧化层的表面形成所述环区。

如上所述的场效应管的制造方法，所述第一设定温度和第二设定温度不同；

所述第一设定含氧量和第二设定含氧量不同。

如上所述的场效应管的制造方法，所述第二设定温度为1150摄氏度。

本发明实施例提供的技术方案通过在第一设定温度和第一含氧量的条件下，对形成环区和有源区的初始氧化层的表面直接形成沟槽掩膜，由于不采用清洗的步骤，一方面可以避免现有技术存在的清洗不净或容易残留水痕的问题，进而不会影响场效应管的电性参数，提高了成品率；另一方面步骤减少，能够降低场效应管制造工艺的复杂程度，提高工艺稳定性，且也能够降低制造成本。

附图说明

图1为本发明实施例提供的场效应管的制造方法的流程图；

图2为本发明实施例提供的场效应管的制造方法中形成有源区和环区的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的场效应管的制造方法中形成沟槽掩膜的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的场效应管的制造方法中去除待形成沟槽的有源区表面的沟槽掩膜的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的场效应管的制造方法中形成沟槽的结构示意图。

附图标记：

1-衬底；    2-外延层；  3-初始氧化层；

4-有源区；  5-环区；    6-沟槽掩膜；

7-沟槽。

具体实施方式

图1为本发明实施例提供的场效应管的制造方法的流程图。如图1所示，本实施例提供的场效应管的制造方法，可以包括：

步骤10、在初始氧化层的表面形成有源区和环区。