[发明专利]半导体器件设计方法和导电凸块图案增强方法

权利要求书

1.一种设计半导体器件的方法，所述方法包括：

设计导电凸块图案设计；

对所述导电凸块图案设计执行导电凸块图案增强算法以创建增强的导电凸块图案设计；

基于所述增强的导电凸块图案设计来设计布线图案；以及

对所述布线图案执行设计规则检查(DRC)程序，

其中，所述导电凸块图案增强算法包括：

输入所述导电凸块图案设计的多个坐标；

计算所述导电凸块图案设计的有效导电凸块图案密度；

模拟所述导电凸块图案设计的导电凸块高度；以及

识别热点以创建所述导电凸块图案设计的图案增强引导，

其中，所述导电凸块图案表示所述半导体器件上需要外部电连接的终端的位置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述导电凸块图案设计实时执行所述导电凸块图案增强算法。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在设计所述布线图案之前，对所述增强的导电凸块图案设计执行测试。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，如果通过所述测试，则设计所述布线图案。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，对所述导电凸块图案设计实时执行所述导电凸块图案增强算法，并且如果所述测试失败，则所述方法包括重复设计所述导电凸块图案设计。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：创建所述布线图案的工厂存储记录。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：对所述布线图案执行测试。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，如果通过所述测试，则创建所述布线图案的工厂存储记录。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，如果所述测试失败，则所述方法包括重复设计所述导电凸块图案设计、执行所述导电凸块图案增强算法和/或设计所述布线图案。

10.一种增强半导体器件的导电凸块图案的方法，包括：

输入所述导电凸块图案设计的多个坐标；

计算所述导电凸块图案设计的有效导电凸块图案密度；

模拟所述导电凸块图案设计的导电凸块高度；以及

识别热点以创建所述导电凸块图案设计的图案增强引导。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述导电凸块图案包括用于多个导电凸块的图案，其中，输入所述导电凸块图案的多个坐标包括：以(x_i，y_i)格式输入所述导电凸块图案中的多个导电凸块的每一个的多个坐标，并且i是所述多个所述导电凸块的每一个导电凸块的编号。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，计算所述有效导电凸块图案密度包括：

选择导电凸块区域；

计算所选择的导电凸块区域的密度；

计算所选择的导电凸块区域的周围区域的密度；以及

根据所选择的导电凸块区域的密度和所述周围区域的密度计算所述半导体器件的所述多个导电凸块的有效密度D。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，计算所选择的导电凸块区域的密度包括计算A％，其中，计算所述周围区域的密度包括计算B％，并且计算所述多个导电凸块的有效密度D包括使用方程式1：

方程式1 D＝(w×A％+(1-w)×B％)；

其中，w包括加权值。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，w为0.3至0.5。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，模拟所述导电凸块高度包括：将所述导电凸块高度模拟为所述多个导电凸块的密度的函数。