[发明专利]编程分栅位单元

权利要求书

1.一种在分栅存储器中选择性编程的方法，所述分栅存储器有以行和列排列的分栅存储单元的第一扇区，其中每一个分栅存储单元有控制栅极、沿着所述行的其中一行耦合于字线的选择栅极、沿着所述列的其中一列耦合于位线的漏极端子、以及源极端子，该方法包括：

对于被选择用于通过耦合于选择的行和选择的列而编程的分栅存储单元，将所述控制栅极耦合于第一电压、将所述选择栅极耦合于第二电压、将所述漏极端子耦合于导致所述分栅存储单元导电的电流吸收器、以及将所述源极端子耦合于第三电压；以及

对于通过耦合于取消选择的行而未被编程的分栅存储单元，将所述控制栅极耦合于所述第一电压、将所述选择栅极耦合于大于在读期间应用于所述选择栅极的电压的第四电压，其中所述分栅存储单元在所述读期间被取消选择。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对于通过耦合于取消选择的列和选择的字线而未被编程的分栅存储单元，将所述控制栅极耦合于所述第一电压、将所述选择栅极耦合于所述第二电压、将所述漏极端子耦合于大于所述第四电压的第五电压、以及将所述源极端子耦合于所述第三电压。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

对于通过耦合于取消选择的行并且进一步耦合于取消选择的列而未被编程的分栅存储单元，将所述漏极端子耦合于所述第五电压。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

对于通过耦合于取消选择的行并且进一步耦合于选择的列而未被编程的分栅存储单元，将所述漏极端子耦合于所述电流吸收器。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述分栅存储器还包括以行和列排列的且相邻所述第一扇区的第二扇区，其中所述第二扇区的每一个分栅存储单元有控制栅极、沿着所述行的其中一行耦合于字线的选择栅极、耦合于从所述第一扇区延伸且沿着所述列的所述位线的其中一个的漏极端子、以及源极端子，所述方法还包括：

对于所述第二扇区的通过所述第二扇区被取消选择且所述列被选择而被取消选择的分栅存储单元，将所述控制栅极耦合于第六电压、将所述选择栅极耦合于所述第四电压、将所述漏极端子耦合于所述电流吸收器、以及将所述源极端子耦合于所述第四电压。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

对于所述第二扇区的通过所述第二扇区被取消选择且所述列被取消选择而被取消选择的分栅存储单元，将所述控制栅极耦合于第六电压、将所述选择栅极耦合于所述第四电压、将所述漏极端子耦合于所述第六电压、以及将所述源极端子耦合于所述第四电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述分栅存储单元没有被编程的时候将所述选择栅极耦合于第四电压进一步特征在于所述分栅存储单元有阈值电压，以及所述第四电压小于在所述漏极端子上的电压以上的所述阈值电压。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述分栅存储单元没有被编程的时候将所述选择栅极耦合于第四电压进一步特征在于所述第四电压大于接地电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一电压大于所述第二电压和所述第三电压，所述第二电压大于所述第四电压，以及所述第三电压大于所述第二电压。

10.根据权利要求1所述的方法，其中每一个分栅存储单元的所述漏极端子当被读取的时候起到漏极的作用且当被编程的时候起到源极的作用，以及所述源极端子当被读取的时候起到源极的作用且当被编程的时候起到漏极的作用。