[发明专利]二极管、ESD保护电路及其制造方法

权利要求书

1.一种二极管，所述二极管包括：

N型阱区域，设置在N型外延层中；

P型漂移区域，设置在N型外延层中，其中，P型漂移区域与N型阱区域分隔开；

阴极电极，包括第一电极和N型掺杂区域，其中，N型掺杂区域电结合到第一电极，N型阱区域仅包括N型掺杂区域并且不包括P型掺杂区域，第一电极设置在N型外延层上；

阳极电极，包括P型掺杂区域，其中，P型掺杂区域设置在P型漂移区域中；以及

隔离结构，设置在P型漂移区域中，其中，隔离结构设置在N型阱区域和P型掺杂区域之间，

其中，阴极电极的第一电极与隔离结构的一部分叠置，

其中，第一电极对应于P型横向扩散金属氧化物半导体晶体管的栅极，

其中，二极管的N型阱区域对应于P型横向扩散金属氧化物半导体晶体管的N型阱区域，二极管的P型漂移区域对应于P型横向扩散金属氧化物半导体晶体管的P型漂移区域，二极管的P型掺杂区域对应于P型横向扩散金属氧化物半导体晶体管的漏极区域，二极管的隔离结构对应于P型横向扩散金属氧化物半导体晶体管的隔离结构。

2.根据权利要求1所述的二极管，所述二极管还包括：

层间介电层，设置在第一电极和N型外延层上；

第一垂直接触，贯穿层间介电层并且结合到N型掺杂区域；

第二垂直接触，与第一垂直接触分隔开，贯穿层间介电层并结合到N型掺杂区域；

第三垂直接触，贯穿层间介电层并且结合到第一电极；

第四垂直接触，贯穿层间介电层并且结合到所述P型掺杂区域；以及

第二电极，设置在层间介电层上并且结合到第一电极、第一垂直接触和所述第二垂直接触。

3.根据权利要求2所述的二极管，其中，阴极电极的第一电极掺杂有N型掺杂剂。

4.根据权利要求1所述的二极管，其中，在N型阱区域中没有设置与P型横向扩散金属氧化物半导体晶体管的源极区域相对应的P型掺杂区域，以及

其中，阴极电极的N型掺杂区域延伸至与P型横向扩散金属氧化物半导体晶体管的源极区域相对应的区域。

5.根据权利要求1所述的二极管，其中，N型外延层设置在半导体基底上。

6.根据权利要求5所述的二极管，所述二极管还包括：

P型阱区域，设置在N型外延层中，

其中，P型漂移区域设置在P型阱区域中。

7.根据权利要求5所述的二极管，所述二极管还包括：

N型埋层，设置在半导体基底的上部中，

其中，N型外延层设置在N型埋层上。