[发明专利]圆片级封装工艺晶圆减薄结构

权利要求书

1.一种圆片级封装工艺晶圆减薄结构，其特征在于，包括：晶圆，多个芯片，导电凸点；各所述芯片在所述晶圆一面呈阵列分布；所述导电凸点形成于所述芯片远离所述晶圆的表面；所述晶圆未形成有所述芯片的一面具有周边厚中间薄的环状结构。

2.根据权利要求1所述的圆片级封装工艺晶圆减薄结构，其特征在于，所述芯片远离所述晶圆的表面还形成电极和钝化层，所述导电凸点与所述电极电连接，所述钝化层位于所述电极上方，且所述导电凸点至少部分裸露出所述钝化层表面。

3.根据权利要求2所述的圆片级封装工艺晶圆减薄结构，其特征在于，所述电极为焊盘。

4.根据权利要求2所述的圆片级封装工艺晶圆减薄结构，其特征在于，所述钝化层采用以下一种材料或多种材料的混合物制备：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺、苯三聚丁烯。

5.根据权利要求1所述的圆片级封装工艺晶圆减薄结构，其特征在于，所述晶圆上还设置有用于切割所述晶圆的划片槽。

6.根据权利要求5所述的圆片级封装工艺晶圆减薄结构，其特征在于，不同芯片之间的晶圆表面上设置有所述划片槽。