[发明专利]圆片级封装工艺晶圆减薄结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种圆片级封装工艺晶圆减薄结构。

背景技术

近年来，半导体器件在成本降低和前道晶圆制造工艺的提升的共同促进下，实现了同样功能的半导体器件的单体芯片尺寸越来越小的目标，这样会导致半导体器件散热要求越来越高，同时也需要半导体器件越来越薄，原来的圆片级封装工艺晶圆减薄工艺无法满足薄形化和高散热的要求。

通过现有圆片级封装晶圆减薄工艺，晶圆背部减薄后会出现整体翘曲的情况，如图1所示为现有的圆片级封装工艺进行晶圆减薄后的截面图，图2为晶圆背部减薄后翘曲的截面图，301为芯片，305为芯片上生成的凸点，306为包覆芯片和凸点的保护膜，302a为半导体器件的减薄后的晶圆；现有工艺中，晶圆进行减薄后去除包覆在凸点上的保护膜306后，晶圆会出现翘曲的情况。

发明内容

在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本发明提供一种圆片级封装工艺晶圆减薄结构，包括：晶圆，多个芯片，导电凸点；各所述芯片在所述晶圆一面呈阵列分布；所述导电凸点形成于所述芯片远离所述晶圆的表面；所述晶圆未形成有所述芯片的一面具有周边厚中间薄的环状结构结构。

本发明提供的圆片级封装工艺晶圆减薄结构，实现了同样功能的半导体器件圆片封装的单体芯片厚度越来越薄的目标，并且更重要的是实现了晶圆背部减薄后只有微小翘曲的目标。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有工艺中晶圆背面整体减薄后截面图；

图2为现有工艺中晶圆整体减薄后翘曲的截面图；

图3至图5为本发明实施例圆片级封装工艺晶圆减薄结构制备工艺过程结构示意图；

图6为本发明实施例中圆片级封装工艺晶圆减薄结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种圆片级封装工艺晶圆减薄结构，如图6所示，包括晶圆302b，多个芯片201，导电凸点203；各所述芯片201在所述晶圆302b一面呈阵列分布；所述导电凸点203形成于所述芯片201远离所述晶圆的表面；所述晶圆未形成有所述芯片的一面具有周边厚中间薄的环状结构。本发明提供的所述晶圆减薄结构在晶圆的一面选择性减薄形成环状结构，实现了晶圆封装越来越薄的要求的同时，晶圆背部只有微小的翘曲的目标。

对晶圆进行选择性减薄，所述选择性减薄为晶圆上未排列有芯片的一面，将晶圆形成有凸点的一面向下，放置在载片台上，对晶圆未形成凸点的一面即晶圆的背面进行选择性环状减薄。所述选择性减薄方法为：利用球状齿轮进行环状打磨，将晶圆中间部分减薄，保留晶圆四周部分，形成环状结构。

现有的晶圆减薄方法是将晶圆背部全部去除直至达到需要的厚度，这种方法在晶圆减薄后，撕去凸点上的保护膜后，晶圆会出现翘曲的情况，如图1和图2所示，并且晶圆越接近边缘翘曲程度越厉害，为了减小减薄后的晶圆的翘曲程度，本发明将翘曲程度最为严重的边缘保留下来，形成一个环状结构，周边的晶圆保留的较厚，就算会发生翘曲变形，边缘的厚度也足以使翘曲变得很小，相对于现有工艺来说，翘曲得到了很大的改善。