[发明专利]图案形成方法、剥离方法、磁记录介质的制造方法、磁记录介质、以及压模的制造方法

说明书

相关申请 

本申请要求以日本专利申请2013-187570号（申请日：2013年9月10日）为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。 

技术领域

本发明的实施方式涉及图案形成方法、剥离方法、磁记录介质的制造方法、磁记录介质、以及压模的制造方法。 

背景技术

近年来，随着信息量的显著的增加，渴望大容量信息记录装置的实现。例如，在半导体存储装置中，为了以容量增加为目的，提高每单位面积的安装密度，元件尺寸的微细化正活跃化。晶体管的配线尺寸在几nm～几十nm的范围进行着微细化，希望能与之相应的制造技术的实现。另外，硬盘驱动器（HDD）中，为了记录介质的高密度化，进行了以垂直磁记录为中心的种种的技术开发，除此以外，作为能同时实现记录密度的进一步增加和介质磁化的热摆耐性的介质，曾提出了图案介质。 

图案介质，是将单个或多个的磁区域作为1个单元来进行记录的介质，由于将1比特（位：bit）的信息用1个单元进行记录，因此只要各记录单元彼此磁分离即可。因此，使用例如半导体制造领域的微细加工技术，将磁性点部和非磁性在同一平面内分离是通常的方法。在作为将磁记录单元区域独立的凹凸图案来制作的情况下，只要预先在设于基板上的磁记录层上形成掩模层を形成，使用掩模层从上部转印凹凸图案即可。或者，可例 举：在掩模层上设置凹凸图案后，将利用高能量照射了的离子向所希望的区域注入，由此制作非磁性区域，将图案选择性地分离的方法等等。 

如上述那样，为了将记录密度高密度化，需要在基板上制作上述微细图案，必须制作与凹凸图案的间距缩小对应的掩模。在已有技术中，可举出采用紫外线曝光或电子束曝光的方法，但作为尺寸偏差更小、并且能简便地形成微细图案的方法之一，有使用金属微粒子的微细加工技术。 

金属微粒子，是具有几nm～几百nm的半径的微粒子的总称，也有时称为纳米粒子，简单地称为微粒子（微粒）。通常，在基板上使用金属微粒子的情况下，使用在特定的溶剂中分散有金属微粒子材料的、所谓的分散液，在基板上涂布，由此得到金属微粒子的周期图案。接着，在金属微粒子涂布后作为掩模层或者基底层使用，由此能够得到在同一平面上独立的凹凸图案。另外，也可以在基板上预先形成物理的凹凸，以凹凸为向导形成所希望的图案。微粒子包含种种的材料，但尤其是使用贵金属材料的微粒子，在化学上稳定，具有高的蚀刻耐性，因此在作为凹凸加工用掩模使用的情况下，能够同时实现加工余量的维持、和加工后的尺寸变换差的降低，因此优选。 

在自由空间以及分散液中存在的金属微粒子，由于从周围的金属微粒子受到由van der waals（范德华）引力所致的相互作用而容易凝聚，因此需要防止该现象。因此，各金属微粒子，在表面具有含有高分子链的保护基，相对于相邻的其他的金属微粒子物理·化学性地隔离，因此微粒子彼此的凝聚被抑制。但是，在以金属微粒子为掩模的微细加工工艺中，等离子体损伤，金属微粒子周围的保护基消失，因此相邻的金属微粒子彼此凝聚。因此，掩模图案会在基板上变化，因此转印后的凹凸图案的尺寸偏差恶化。特别是前述的贵金属材料，虽然蚀刻耐性高，但是与其他的微粒子材料比较，产生凝聚的van der waals引力大，窄间距·窄间隔图案的转印较困难。 

另一方面，由于在基板上残存的金属微粒子成为工序上的残渣，因此希望将其力所能及地除去来改善凹凸平坦性。即，若被加工层上的微粒子 残存，则导致在半导体制造工序中不需要的凹凸所致的成品率的降低，在硬盘介质中，粒子作为凹凸，介质中的磁头浮起特性劣化，导致HDI（Head Disk Interface）特性的恶化。因此，金属微粒子的除去、即剥离技术也与金属微粒子材料的凹凸加工技术一同地被需要。 

在已有的剥离工艺中，除了通过将剥离材料曝露于氧等的等离子体气氛中进行加工来物理地除去的方法之外，还有通过使用酸、碱等的溶液的湿式蚀刻来溶解的方法等等。在干式蚀刻中，掩模加工后残存的微粒子会成为转印用掩模，因此加工后在基板表面也会产生凹凸残渣。与此相对，在湿式蚀刻中，由于溶解微粒子本身，因此基板表面的残存物能够减少，但是存在不能避免酸·碱造成的对掩模层、基板侧的损伤这一本质的课题。另外，如前述那样，使用金属微粒子的情况下，在工序上不能避免等离子体曝露所致的保护基的消失等的情况下，金属微粒子失活，因此也不与有机溶剂等的分散介质亲合，不能够剥离金属微粒子，因此难以同时实现损伤降低和凹凸除去。