[发明专利]一种N型GaAs基激光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种N型GaAs基激光二极管的制造方法，包括如下步骤，首先形成GaAs衬底，其次在衬底上依次沉积了n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层，其特征在于，

形成GaAs衬底的方法包括如下步骤：

(1)在常温常压下，将GaAs晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮；

(2)对GaAs晶片加热的同时加压，加热至温度为860～890℃，加压至压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟；

(3)停止加热，使GaAs晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaAs晶片恢复至常压。卸压速度为0.3～0.5GPa/分钟；

(4)在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。

2.如权利要求1所述的N型GaAs基激光二极管的制造方法，其特征在于，步骤(2)中加热速率为100℃/分钟，加压速率为0.1～0.2GPa/分钟。

3.如权利要求1所述的N型GaAs基激光二极管的制造方法，其特征在于，n型包覆层是n-Al_aIn_bGa_1-a-bN，其中0≤a，b，a+b≤1。

4.如权利要求1所述的N型GaAs基激光二极管的制造方法，其特征在于，n型光导层为n-Al_cIn_dGa_1-c-dN，其中0≤c，d，c+d≤1。

5.如权利要求1所述的N型GaAs基激光二极管的制造方法，其特征在于，有源层是超晶格结构的n-Al_eIn_fGa_1-e-fN/n-AI_gIn_hGa_1-g-hN多量子阱层，其中0≤e，f，g，h，e+f，g+h≤1。

6.如权利要求1所述的N型GaAs基激光二极管的制造方法，其特征在于，p型阻挡层是p-Al_iIn_jGa_1-i-jN，其中0≤i，j，i+j≤1。

7.如权利要求1所述的N型GaAs基激光二极管的制造方法，其特征在于，p型光导层是p-Al_kIn₁Ga_1-k-1N，其中0≤k，l，k+1≤1。

8.如权利要求1所述的N型GaAs基激光二极管的制造方法，其特征在于，p型包覆层是p-Al_mIn_nGa_1-m-nN，其中0≤m，n，m+n≤1。