[发明专利]LED晶片封装方法在审
| 申请号： | 201410038667.0 | 申请日： | 2014-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN103972360A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 裴小明;曹宇星 | 申请（专利权）人： | 上海瑞丰光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/50 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 晶片 封装 方法 | ||
1.LED晶片的封装方法，其特征在于，包括下述步骤：
将覆晶晶片焊接于金属平板上，并按阵列式排布；
向所述金属平板上涂覆荧光胶，将所述覆晶晶片覆盖；
将相邻覆晶晶片之间的荧光胶部分祛除，保留预定厚度的荧光胶；
向所述荧光胶表面涂覆透明封装胶，使所述透明封装胶填充相邻覆晶晶片间的空缺区域，并在所述荧光胶之上形成透明封装层，获得阵列式LED胶片；
将金属平板蚀刻祛除，得到所述阵列式LED胶片；
将所述阵列式LED胶片分割成多个LED封装单体。
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在将所述阵列式LED胶片从金属平板上取下和将所述阵列式LED胶片分割成多个LED封装单体的步骤之间还包括下述步骤：
对覆晶晶片的底部电极进行蒸镀金属扩展电极操作。
3.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，通过蒸镀金属扩展电极形成的扩展电极的厚度为0.05～3μm。
4.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，于相邻覆晶晶片之间祛除预定宽度的荧光胶后，所保留的荧光胶的厚度为10～100μm。
5.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述覆晶晶片正上方的荧光胶的厚度为30～500μm。
6.如权利要求1至5任一项所述的封装方法，其特征在于，所述透明封装层为平面结构。
7.如权利要求1至5任一项所述的封装方法，其特征在于，所述透明封装层为透镜阵列结构，所述透镜阵列结构的每个透镜与所述覆晶晶片一一对应。
8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述荧光胶的正面与侧面以不小于90°的夹角相交。
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