[发明专利]半导体封装件及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件及其制法，尤指一种具有封装胶体的半导体封装件及其制法。

背景技术

近年来，由于各种电子产品在尺寸上是日益要求轻、薄及小，因此可节省基板平面面积并可同时兼顾处理性能的堆栈式半导体封装件愈来愈受到重视。

图1A至图1D所示者，其为现有的半导体封装件的制法的剖视图。

如图1A所示，提供具有相对的第一表面10a与第二表面10b的第一基板10，该第一表面10a具有多个第一电性连接垫101，该第一表面10a上接置有芯片11，且该第一电性连接垫101与第二表面10b上分别接置有第一焊球12a与第二焊球12b。

如图1B所示，于该芯片11与第一表面10a之间填充底胶13，且该底胶13还覆盖该第一焊球12a，接着，以激光清除部分该底胶13，以外露该第一焊球12a。

再如图1C与图1D所示，将具有相对的第三表面20a与第四表面20b的第二基板20接置于该第一基板10的第一表面10a上，该第三表面20a具有多个第二电性连接垫201，各该第二电性连接垫201上设有金属柱202，该第四表面20b上设有电子组件21，该第二电性连接垫201藉由该金属柱202电性连接该第一焊球12a，且令该芯片11位于该第一基板10与第二基板20之间。

由于前述半导体封装件的制法是先对该第一基板上的芯片进行该底胶的填充，再接置该第二基板，因此，并没有对于该金属柱进行保护，而容易降低抗落摔能力与抗高低温循环能力的信赖性。

请再参照图2A与图2B，其为现有的半导体封装件的制法的另一实施例的剖视图，如图所示，此制法为先将该第二基板20接置于该第一基板10的第一表面10a上，再从一侧将封装胶体30灌入至该第一基板10与第二基板20之间，以包覆该芯片11、第一焊球12a与金属柱202。然而，此种制法因为该金属柱的数量多且密集排列，因此在将该封装胶体灌入时，该封装胶体从一侧边流动至另一侧边所需的时间过久，使得在未完全填满于该第一基板与第二基板之间之前，该封装胶体便已凝固，导致该封装胶体的填充失败。

由于前述的半导体封装件设置有金属柱，所以能缩小该第一焊球的体积，进而能符合现今细线宽线距的趋势。但前述两种制法都各自有其制作上的缺失，无论是抗落摔能力与抗高低温循环能力的信赖性不佳、或者是封装胶体易于填充失败。

因此，如何避免上述现有技术中的种种问题，实为目前业界所急需解决的课题。

发明内容

有鉴于上述现有技术的缺失，本发明的主要目的为提供一种半导体封装件及其制法，能有效提高产品的信赖性。

本发明的半导体封装件的制法包括：提供具有相对的第一表面与第二表面的第一基板，该第一表面具有多个第一电性连接垫，且该第一表面上接置有芯片；藉由多个导电组件将具有相对的第三表面与第四表面及贯穿该第三表面与第四表面的穿孔的第二基板接置于该第一基板的第一表面上，该第三表面具有多个第二电性连接垫，该第二电性连接垫藉由该导电组件电性连接该第一电性连接垫，且令该芯片位于该第一基板与第二基板之间；以及经由该穿孔将封装胶体注入至该第一基板与第二基板之间，以包覆该芯片与导电组件。

于前述的制法中，该穿孔位于该芯片的上方，该穿孔位于该第二基板的中央，且于接置该第二基板之前，还包括于该芯片与该第一基板的第一表面之间形成底胶。

于本发明的半导体封装件的制法中，注入该封装胶体的方式以喷嘴为之，于注入该封装胶体时，该喷嘴置于该穿孔中。

依前所述的半导体封装件的制法，该穿孔的尺寸大于该喷嘴的尺寸，且于接置该第二基板之前，该导电组件为接置于该第二电性连接垫上的金属柱，于接置该第二基板之前，还包括于该第一电性连接垫上接置焊球，该第二电性连接垫藉由该导电组件电性连接该焊球。

本发明还提供一种半导体封装件，包括：第一基板，其具有相对的第一表面与第二表面，该第一表面并具有多个第一电性连接垫；芯片，其接置于该第一表面上；第二基板，其藉由多个导电组件接置于该第一基板的第一表面上，该第二基板具有相对的第三表面与第四表面及贯穿该第三表面与第四表面的穿孔，该第三表面具有多个第二电性连接垫，该第二电性连接垫藉由该导电组件电性连接该第一电性连接垫，且令该芯片位于该第一基板与第二基板之间；以及封装胶体，其形成于该第一基板与第二基板之间，以包覆该芯片与导电组件。

于前述的半导体封装件中，该封装胶体还形成于该穿孔中，该穿孔位于该芯片的上方，该穿孔位于该第二基板的中央。