[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件(1)，包括：

具有半导体元件(50)的半导体衬底(5)；

布置在所述半导体衬底(5)上方的层间绝缘膜(10)；

布置在所述层间绝缘膜(10)中的多个布线层(12a、12b、12c)；

布置在所述层间绝缘膜(10)上方的第一硬质膜(20a)，所述第一硬质膜(20a)比所述层间绝缘膜(10)更坚硬；以及

布置在所述第一硬质膜(20a)上方且用于外部连接的电气焊盘(30)，

其中所述电气焊盘(30)包括：

布置成离所述半导体衬底(5)较近的下层焊盘(30a)；

布置成离所述半导体衬底(5)较远的上层焊盘(30b)；以及

布置在所述下层焊盘(30a)和所述上层焊盘(30b)之间的第二硬质膜(32)，并且

其中所述第二硬质膜(32)具有导电性且比所述下层焊盘(30a)和所述上层焊盘(30b)更坚硬。

2.根据权利要求1所述的半导体器件(1)，

其中所述下层焊盘(30a)比所述上层焊盘(30b)更厚，并且

其中所述第二硬质膜(32)在所述电气焊盘(30)的厚度方向上布置在所述电气焊盘(30)的中心的上方，所述厚度方向垂直于所述半导体衬底(5)的表面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件(1)，进一步包括：

布置在所述电气焊盘(30)和所述第一硬质膜(20a)之间的阻挡金属膜(22)，以及

布置在所述阻挡金属膜(22)和所述第一硬质膜(20a)之间的氧化硅膜(20b)，

其中所述第一硬质膜(20a)由氮化硅膜构成，并且

其中所述氧化硅膜(20b)直接接触所述阻挡金属膜(22)和所述第一硬质膜(20a)。

4.根据权利要求1所述的半导体器件(1)，

其中所述半导体元件(50)布置在所述电气焊盘(30)和所述半导体衬底(5)之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件(1)，

其中所述电气焊盘(30)具有通过接合部(40)与所述外部连接进行连接的接合区域(X)，

其中接触部分(16)在与所述接合区域(X)分离的位置处穿过所述第一硬质膜(20a)，并且

其中所述电气焊盘(30)和所述多个布线层(12a、12b、12c)通过所述接触部分(16)电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体器件(1)，

其中，当所述电气焊盘(30)的所述接合区域(X)与所述接合部(40)连接时，所述接合区域(X)下方的所述下层焊盘(30a)存在于所述接合部(40)和所述第一硬质膜(20a)之间。

7.根据权利要求5或权利要求6所述的半导体器件(1)，

其中所述电气焊盘(30)和所述接合部(40)由相互之间不同种类的金属构成。

8.根据权利要求7所述的半导体器件(1)，

其中所述半导体元件(50)与所述多个布线层(12a、12b、12c)电连接。