[发明专利]图像传感器的单元像素

权利要求书

1.一种图像传感器的单元像素，所述单元像素包括：

光电转换区域，在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中，光电转换区域被构造成产生与入射光相对应的电荷；

浮置扩散区域，在有源区域中；以及

传输栅极，被构造成将电荷传输到浮置扩散区域，传输栅极邻近于光电转换区域和浮置扩散区域，传输栅极包括相对于沿从光电转换区域到浮置扩散区域的方向延伸的基准线划分的第一部分和第二部分，其中，第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。

2.如权利要求1所述的单元像素，其中，有源区域包括：

第一区，具有切角矩形形状；以及

第二区，具有从第一区的切角边缘在所述方向上延伸的矩形形状。

3.如权利要求2所述的单元像素，其中，基准线沿所述方向相等地划分第一区和第二区，其中，传输栅极关于基准线对称地布置。

4.如权利要求3所述的单元像素，其中，传输栅极的第一部分和第二部分不与隔离区域叠置。

5.如权利要求2所述的单元像素，其中，基准线在所述方向上相等地划分第一区和第二区，传输栅极关于基准线不对称地布置。

6.如权利要求5所述的单元像素，其中，传输栅极的第一部分与隔离区域部分地叠置，传输栅极的第二部分不与隔离区域叠置。

7.如权利要求5所述的单元像素，其中，传输栅极的第一部分不与隔离区域叠置，传输栅极的第二部分与隔离区域部分地叠置。

8.如权利要求2所述的单元像素，其中，第一区包括光电转换区域。

9.如权利要求2所述的单元像素，其中，第二区包括浮置扩散区域。

10.如权利要求2所述的单元像素，其中：

光电转换区域掺杂有第二导电类型的杂质，

半导体基板掺杂有与第二导电类型不同的第一导电类型的杂质。

11.如权利要求1所述的单元像素，其中，传输栅极位于半导体基板的第一表面上。

12.如权利要求11所述的单元像素，所述单元像素还包括：

滤色器，在传输栅极上方并与光电转换区域相对应；以及

微透镜，在滤色器上并与光电转换区域相对应。

13.如权利要求1所述的单元像素，其中：

传输栅极，位于半导体基板的第一表面上，

单元像素包括：位于半导体基板的第二表面上的滤色器，滤色器对应于光电转换区域；以及位于滤色器上的微透镜，微透镜对应于光电转换区域。

14.一种图像传感器的单元像素，所述单元像素包括：

浮置扩散区域，在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中；

多个光电转换区域，位于由浮置扩散区域共享的有源区域上，光电转换区域被构造成产生与入射光相对应的电荷；以及

多个传输栅极，被构造成将电荷传输到浮置扩散区域，传输栅极邻近于光电转换区域和浮置扩散区域，每个传输栅极包括相对于沿从光电转换区域到浮置扩散区域的方向延伸的基准线划分的第一部分和第二部分，其中，第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。