[发明专利]图像传感器的单元像素

说明书

提供了一种图像传感器的单元像素，所述图像传感器的单元像素包括：光电转换区域、浮置扩散区域和传输栅极。光电转换区域在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中。光电转换区域产生与入射光相对应的电荷。传输栅极将电荷传输到浮置扩散区域，浮置扩散区域位于有源区域中。传输栅极包括相对于基准线划分的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。

通过引用将2013年2月5日提交的并且标题为“Unit Pixel of Image Sensor andImage Sensor Including the Same”的第10-2013-0012831号韩国专利申请全部包含于此。

技术领域

这里描述的一个或更多个实施例涉及一种图像传感器。

背景技术

图像传感器是将入射光转换成电信号的装置。例子包括电荷耦合装置（CCD）图像传感器和互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器。为了改善感测性能，已经研发了响应于穿过半导体基板的背表面的入射光来执行光电转换的背部照射式图像传感器（BIS）。

发明内容

根据一个实施例，一种图像传感器的单元像素包括：光电转换区域，在由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中，光电转换区域被构造成产生与入射光相对应的电荷；浮置扩散区域，在有源区域中；以及传输栅极，被构造成将电荷传输到浮置扩散区域。传输栅极邻近于光电转换区域和浮置扩散区域，并包括沿与第一方向交叉的第二方向相对于基准线划分的第一部分和第二部分。第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。

另外，有源区域可以包括：第一区，具有切角正方形形状或切角矩形形状；以及第二区，具有从第一区的切角边缘在第二方向上延伸的矩形形状。

另外，基准线可以在第二方向上相等地划分第一区和第二区，传输栅极可以关于所述线对称地布置。传输栅极的第一部分和第二部分可以不与隔离区域叠置。

另外，基准线可以在第二方向上相等地划分第一区和第二区，传输栅极可以关于所述线不对称地布置。传输栅极的第一部分可以与隔离区域部分地叠置，传输栅极的第二部分不与隔离区域叠置。另外，传输栅极的第一部分可以不与隔离区域叠置，传输栅极的第二部分可以与隔离区域部分地叠置。另外，第一区可以包括光电转换区域。另外，第二区可以包括浮置扩散区域。

另外，光电转换区域可以掺杂有第二导电类型的杂质，半导体基板可以掺杂有与第二导电类型不同的第一导电类型的杂质。

另外，传输栅极可以在半导体基板的第一表面上。滤色器可以位于传输栅极上方并且可以与光电转换区域相对应，微透镜可以在滤色器上并与光电转换区域相对应。

另外，传输栅极可以在半导体基板的第一表面上，单元像素可以包括：滤色器，位于半导体基板的第二表面上，滤色器对应于光电转换区域；以及微透镜，位于滤色器上，微透镜对应于光电转换区域。

根据另一实施例，一种图像传感器的单元像素包括：浮置扩散区域，在被由半导体基板的隔离区域限定的有源区域中；多个光电转换区域，位于被浮置扩散区域共享的有源区域上，光电转换区域被构造成产生与入射光相对应的电荷；以及多个传输栅极，被构造成将电荷传输到浮置扩散区域。传输栅极邻近于光电转换区域和浮置扩散层，每个传输栅极包括沿与第一方向交叉的第二方向相对于基准线划分的第一部分和第二部分。第一部分和第二部分中的至少一个不与隔离区域叠置。

另外，所述多个光电转换区域可以包括第一光电转换区域和第二光电转换区域，有源区域可以包括：第一区，包括第一光电转换区域；第二区，包括第二光电转换区域；以及第三区，包括浮置扩散区域并且邻近于第一区和第二区。所述多个传输栅极可以包括：第一传输栅极，被构造成将第一光电转换区域中的第一电荷传输到浮置扩散区域；以及第二传输栅极，被构造成将第二光电转换区域中的第二电荷传输到浮置扩散区域。