[发明专利]用于加工载体的方法和用于制作电荷储存存储基元的方法

权利要求书

1.一种用于加工载体的方法，所述方法包括：

在载体上方形成结构，该结构包括至少两个相邻的结构元件，所述至少两个相邻的结构元件按照它们之间的第一距离布置；

在该结构上方沉积分隔器层，其中分隔器层被沉积为具有大于第一距离的一半的厚度，其中分隔器层包括导电分隔器材料；

去除分隔器层的一部分，其中分隔器层的分隔器材料保留在所述至少两个相邻的结构元件之间的区域中；以及

以电气方式接触剩余分隔器材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构元件中的至少一个结构元件形成金属-氧化物-半导体场效应晶体管的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述结构元件中的至少一个结构元件形成金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极的一部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述结构元件中的至少一个结构元件包括金属-氧化物-半导体场效应晶体管的浮栅。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构元件中的至少一个结构元件包括浮栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的浮栅和控制栅中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构元件中的至少一个结构元件是虚拟结构元件。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述分隔器材料包括多晶硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述分隔器层沉积为具有小于或等于大约200 nm的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中去除分隔器层的一部分包括：露出结构元件的表面，同时分隔器材料至少部分地保留在结构元件的侧壁。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在结构元件的侧壁的剩余分隔器材料提供场效应晶体管的控制线。

11.根据权利要求1所述的方法，其中以电气方式接触剩余分隔器材料包括：

在分隔器层上方沉积掩模材料；

去除掩模材料以部分地露出结构元件之间的剩余分隔器材料；以及

沉积所述接触结构元件之间的剩余分隔器材料的导电材料。

12.一种用于制作电荷储存存储基元的方法，所述方法包括：

在晶片上方形成电荷储存存储基元结构，电荷储存存储基元结构包括至少两个相邻的电荷储存存储基元结构元件，所述至少两个相邻的电荷储存存储基元结构元件按照它们之间的第一距离布置；

在电荷储存存储基元结构上方沉积分隔器层，其中分隔器层被沉积为具有大于第一距离的一半的分隔器层厚度，其中分隔器层包括导电分隔器材料；

部分地去除分隔器层，其中分隔器层的分隔器材料保留在所述至少两个相邻的电荷储存存储基元结构元件之间的至少一个区域中；以及

以电气方式接触剩余分隔器材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述电荷储存存储基元结构元件中的至少一个电荷储存存储基元结构元件形成金属-氧化物-半导体场效应晶体管的至少一部分。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述电荷储存存储基元结构元件中的至少一个电荷储存存储基元结构元件包括金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极的至少一部分。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述电荷储存存储基元结构元件中的至少一个电荷储存存储基元结构元件包括金属-氧化物-半导体场效应晶体管的浮栅的至少一部分。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述电荷储存存储基元结构元件中的至少一个电荷储存存储基元结构元件包括浮栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的浮栅和控制栅中的至少一个。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述电荷储存存储基元结构元件中的至少一个电荷储存存储基元结构元件是虚拟结构元件。

18.根据权利要求12所述的方法，其中所述分隔器材料包括多晶硅。

19.根据权利要求12所述的方法，其中所述至少两个相邻的电荷储存存储基元结构元件之间的第一距离小于或等于大约400 nm。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述分隔器层沉积为具有小于或等于大约200 nm的厚度。