[发明专利]用于加工载体的方法和用于制作电荷储存存储基元的方法

说明书

技术领域

各种实施例一般地涉及一种用于加工载体的方法、用于制作电荷储存存储基元的方法、用于加工芯片的方法和用于以电气方式接触分隔器结构的方法。

背景技术

制作集成电路(也称为IC、芯片或微芯片)通常包括多个过程。半导体加工的一项发展是集成电路的缩放以实现最小的实用的特征尺寸。半导体工业的另一驱动因素是降低生产成本。降低成本的一种方法可直接与需要的过程的数量相关，其中通常希望仅使用尽可能少的数量的过程。由于可能因为未对准、有限的覆盖准确性、产生于沉积过程和蚀刻过程的不均匀性而由各过程引入相对于最佳设计的配置的误差或偏差，所以减小的数量的过程不仅可降低成本，它还可增加产量，增加总体过程的可再现性，使有缺陷的结构元件的数量最小化，并且可减少用于电子部件的生产的时间。

在这个方面，如果电气接触器的尺寸同样是小的，则以电气方式接触小的结构元件(小意味着结构元件的横向尺寸可处于平面加工的相应特征尺寸的范围中)可引起问题，并且所包括的图案化过程的覆盖准确性可变得相关。因此，对于结构元件的横向尺寸并不显著大于电气接触器自身的结构，结构元件的电气接触可能不可靠。根据这一点，通常包括产生较大接触平台区域的另外的过程，包括一个或多个沉积过程、光刻过程、蚀刻过程(等)，如上所述可能不希望这些过程，因为过程的数量可能增加。

发明内容

根据各种实施例的用于加工载体的方法可包括：在载体上方形成结构，该结构包括至少两个相邻的结构元件，所述至少两个相邻的结构元件按照它们之间的第一距离布置；在该结构上方沉积分隔器层，其中分隔器层可被沉积为具有大于第一距离的一半的厚度，其中分隔器层可包括导电分隔器材料；去除分隔器层的一部分，其中分隔器层的分隔器材料可保留在所述至少两个相邻的结构元件之间的区域中；以及以电气方式接触剩余的分隔器材料。

附图说明

在附图中，相同标号通常在不同示图中始终表示相同部分。附图未必按比例绘制，而是通常把重点放在表示本发明的原理上。在下面的描述中，参照下面的附图描述本发明的各种实施例，其中：

图1以根据各种实施例的流程图显示用于加工载体的方法；

图2A示意性地显示根据各种实施例的在初始加工阶段的载体的横截面；

图2B示意性地显示根据各种实施例的在第一加工阶段的载体和形成在载体上方的对应结构的横截面；

图2C示意性地显示根据各种实施例的在第二加工阶段的载体和对应结构的横截面，其中分隔器层形成在载体和对应结构上方；

图2D示意性地显示根据各种实施例的在第三加工阶段的载体和对应结构的横截面，其中分隔器层的一部分被去除；

图2E示意性地显示根据各种实施例的在第四加工阶段的载体和对应结构的横截面，其中以电气方式接触剩余的分隔器；

图2F示意性地显示根据各种实施例的载体和对应结构的横截面；

图3A示意性地显示根据各种实施例的在中间加工阶段的载体和形成在载体上方的对应结构的横截面；

图3B示意性地显示根据各种实施例的在中间加工阶段的载体和形成在载体上方的对应结构的横截面；

图3C示意性地显示根据各种实施例的在加工阶段的载体和对应结构的横截面，其中分隔器层形成在载体和对应结构上方；

图3D示意性地显示根据各种实施例的在加工阶段的载体和对应结构的横截面，其中分隔器层的一部分被去除；

图3E示意性地显示根据各种实施例的在加工阶段的载体和对应结构的横截面，其中以电气方式接触剩余的分隔器；

图4示意性地显示根据各种实施例的载体和对应结构的俯视图，其中分隔器材料保留在结构元件的侧壁的两个部分之间；

图5示意性地显示根据各种实施例的包括多个结构元件的载体的俯视图，其中结构元件形成为U形并且分隔器材料分别保留在结构元件的侧壁的至少两个部分之间；

图6示意性地显示根据各种实施例的包括多个结构元件的载体的俯视图，其中结构元件形成为U形并且分隔器材料分别保留在两个相邻的结构元件的两个侧壁之间；

图7示意性地显示根据各种实施例的包括多个结构元件的载体的俯视图，其中结构元件形成为U形并且分隔器材料分别保留在结构元件的侧壁的至少两个部分之间并且也保留在结构元件和另外的虚拟结构元件之间，其中虚拟结构元件具有椭圆形形状；