[发明专利]嵌埋有晶片的封装结构的制法有效

专利信息
申请号: 201410041750.3 申请日: 2014-01-27
公开(公告)号: CN104779176B 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 张翊峰;符毅民;蔡芳霖;刘正仁;陈宏棋 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司11314 代理人: 程伟,王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 嵌埋有 晶片 封装 结构 制法
【权利要求书】:

1.一种嵌埋有晶片的封装结构的制法,包括:

准备一其上形成有第一线路层的承载板,该第一线路层具有多个第一电性连接垫及第二电性连接垫;

以覆晶方式接置至少一晶片于该第一电性连接垫上;

在该承载板上形成包覆该晶片及该第一线路层的介电层,令该介电层具有连接该承载板的第一表面与其相对的第二表面;

形成多个贯穿该介电层且连接该第二电性连接垫的导电通孔;

在该介电层的第二表面上形成电性连接该导电通孔的第二线路层;

在该介电层的第二表面上形成第一绝缘保护层,以覆盖该第二线路层,其中,该第二线路层具有多个第三电性连接垫,且该第一绝缘保护层具有多个第一绝缘保护层开孔以对应露出各该第三电性连接垫;以及

移除该承载板。

2.如权利要求1所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,该制法还包括在各该第一绝缘保护层开孔中形成导电元件。

3.如权利要求1所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,形成该第一绝缘保护层的材质为防焊材料。

4.如权利要求1所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,该制法于移除该承载板后,还包括于该第一线路层上接置电子元件。

5.如权利要求4所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,该制法于接置该电子元件后,还包括在该介电层的第一表面上形成封装胶体,以包覆该电子元件与第一线路层。

6.如权利要求4所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,该电子元件为晶片或封装结构。

7.如权利要求1所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,于移除该承载板后,还包括在该介电层的第一表面上形成第二绝缘保护层,而该第二绝缘保护层具有多个第二绝缘保护层开孔,以露出部分该第一线路层。

8.如权利要求7所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,该制法还包括在各该第二绝缘保护层开孔中形成导电元件。

9.如权利要求7所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,形成该第二绝缘保护层的材质为防焊材料。

10.如权利要求1所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,形成该介电层的材质为ABF(Ajinomoto Build-up Film)。

11.如权利要求1所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,形成该第一线路层的步骤包括:

提供该承载板,该承载板的一表面具有金属膜;

于该金属膜上形成具有多个阻层开孔的阻层,以供部分该金属膜外露于该多个阻层开孔;

于该阻层开孔中电镀形成该第一线路层;以及

移除该阻层及其所覆盖的金属膜。

12.一种嵌埋有晶片的封装结构的制法,包括:

准备一其上形成有第一线路层的承载板,该第一线路层具有多个第一电性连接垫及第二电性连接垫;

以覆晶方式接置至少一晶片于该第一电性连接垫上;

在该承载板上形成覆盖该晶片及该第一线路层的介电层,令该介电层具有连接该承载板的第一表面与其相对的第二表面;

形成多个贯穿该介电层且对应露出该第二电性连接垫的通孔并于该第二表面上形成具有多个图案化阻层开口的图案化阻层,以令该通孔外露于该图案化阻层开口;

一体形成导电通孔及第二线路层,其中,该导电通孔形成在该通孔中且连接该第二电性连接垫,而该第二线路层形成在该图案化阻层开口中且电性连接该导电通孔;以及

移除该承载板及该图案化阻层。

13.如权利要求12所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,在形成该图案化阻层及该通孔后,还包括在该介电层及外露的第二电性连接垫与通孔上形成晶种层。

14.如权利要求13所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,形成该导电通孔及该第二线路层的方式是以电镀为之。

15.如权利要求12所述的嵌埋有晶片的封装结构的制法,其特征在于,于移除该图案化阻层后,还包括在该介电层的第二表面上形成第一绝缘保护层,以覆盖该第二线路层,其中,该第二线路层具有多个第三电性连接垫,且该第一绝缘保护层具有多个第一绝缘保护层开孔以对应露出各该第三电性连接垫。

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