[发明专利]一种含磷硅嵌段共聚物及其制备方法有效
申请号: | 201410041811.6 | 申请日: | 2014-01-28 |
公开(公告)号: | CN103819634A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 戴李宗;邱武辉;袁丛辉;罗伟昂;许一婷;曾碧榕;曹莹;何凯斌;刘新瑜 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | C08F293/00 | 分类号: | C08F293/00;C08F8/40 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 陈永秀;马应森 |
地址: | 361005 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含磷硅嵌段 共聚物 及其 制备 方法 | ||
1.一种含磷硅嵌段共聚物,其特征在于其化学结构式如下:
式中,R为异丁基,R’为-P-CH2-CH(OH)-和HOCH2CH(P)-两种结构,这是由于DOPO的P-H与环氧基可以发生α加成和β加成产生的,R’的结构式如下:
或
2.如权利要求1所述一种含磷硅嵌段共聚物的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)PMAiBuPOSSm大分子链转移剂的合成
将甲基丙烯酰氧丙基七异丁基POSS,二硫代苯甲酸枯基酯及偶氮二异丁氰溶于2~4倍体积甲苯中,经连续冻融脱气后在氩气保护下聚合反应,再经液氮猝冷停止反应,以甲醇∶乙酸乙酯为7∶1为沉淀剂反复沉淀即得产物PMAiBuPOSSm大分子链转移剂;
2)PMAiBuPOSSm-b-PGMAn两嵌段的合成
取步骤1)合成的PMAiBuPOSSm大分子链转移剂和甲基丙烯酸缩水甘油酯及偶氮二异丁氰溶于2~4倍体积四氢呋喃中,经连续冻融脱气后在氩气保护下聚合反应,再经液氮猝冷停止反应,甲醇为沉淀剂反复沉淀即得产物PMAiBuPOSSm-b-PGMAn两嵌段;
3)含磷硅嵌段共聚物PMAiBuPOSSm-b-PGMAn-g-DOPOq的合成
取步骤2)合成的PMAiBuPOSSm-b-PGMAn两嵌段、9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物溶于1~2倍体积四氢呋喃中,在氩气保护下于装有磁子搅拌和回流装置的反应器中反应,再用沉淀剂沉淀,即得含磷硅嵌段共聚物。
3.如权利要求2所述一种含磷硅嵌段共聚物的制备方法,其特征在于在步骤1)中,所述甲基丙烯酰氧丙基七异丁基POSS、二硫代苯甲酸枯基酯及偶氮二异丁氰的摩尔比为(10~30)∶1∶0.2。
4.如权利要求2所述一种含磷硅嵌段共聚物的制备方法,其特征在于在步骤1)和2)中,所述脱气为3~5次。
5.如权利要求2所述一种含磷硅嵌段共聚物的制备方法,其特征在于在步骤1)中,所述聚合反应的温度为60~80℃,聚合反应的时间为24~48h。
6.如权利要求2所述一种含磷硅嵌段共聚物的制备方法,其特征在于在步骤2)中,所述甲基丙烯酸缩水甘油酯∶PMAiBuPOSSm大分子链转移剂∶偶氮二异丁氰的摩尔比为(100~300)∶1∶0.1。
7.如权利要求2所述一种含磷硅嵌段共聚物的制备方法,其特征在于在步骤2)中,所述聚合反应的温度为60~70℃,聚合反应的时间为24~48h。
8.如权利要求2所述一种含磷硅嵌段共聚物的制备方法,其特征在于在步骤3)中,所述9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物∶PMAiBuPOSSm-b-PGMAn两嵌段的摩尔比为0.5~2。
9.如权利要求2所述一种含磷硅嵌段共聚物的制备方法,其特征在于在步骤3)中,所述反应的温度为70~90℃,反应的时间为12~24h。
10.如权利要求2所述一种含磷硅嵌段共聚物的制备方法,其特征在于在步骤3)中,所述沉淀剂选自乙醇、甲醇、蒸馏水中的一种;所述沉淀为3次。
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