[发明专利]掩模板和过孔形成方法无效
| 申请号： | 201410041885.X | 申请日： | 2014-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103760748A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 卢凯;史大为;郭建 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/68 | 分类号： | G03F1/68;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模板 形成 方法 | ||
1.一种掩模板，所述掩模板上具有透光图案，其特征在于，所述透光图案的边缘为弯曲状。
2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光图案的边缘为锯齿状或波浪状。
3.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光图案为方形孔。
4.如权利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述为方形孔的透光图案至少有一组相对的侧边为弯曲状。
5.如权利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述为方形孔的透光图案弯曲状的侧边的两端弯曲高度高于或相等于其中部的高度。
6.如权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述透光图案的弯曲状的边缘的弯曲高度为0.4～0.75μm。
7.如权利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述方形孔的尺寸为3μm×3μm。
8.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述透光图案为圆孔。
9.如权利要求8所述的掩模板，其特征在于，所述圆孔的直径为3μm。
10.一种过孔形成方法，其特征在于，在衬底基板上形成树脂层或光刻胶层，将如权利要求1-9任一项所述的掩模板置于所述树脂层或光刻胶层的上方，对所述树脂层或光刻胶层进行曝光形成过孔图案。
11.如权利要求10所述的过孔形成方法，其特征在于，当树脂层为非感光树脂层时，在所述光刻胶层的下方先形成非感光树脂层，然后再对光刻胶层进行曝光，在非感光树脂层上形成过孔。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
