[发明专利]掩模板和过孔形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩模板和过孔形成方法。

背景技术

为了实现薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器（即TFT-LCD）的高分辨率，需要进行精细化布线，减小过孔尺寸；而为了降低器件的功耗，在TFT阵列基板上常增加有机树脂层和需要进行光刻蚀。

常规正性感光树脂过孔的尺寸受限于目前曝光设备的分辨率，在TFT-LCD制作工艺中，过孔的曝光尺寸难以突破曝光机分辨率的限制（即解像能力，其一般为4μm以上），如图1所示，现有的掩模板1的透光区域2一般为方形孔，尺寸只能设计为曝光设备的分辨率以上（大于4μm），因此经过曝光后，显影后尺寸（简称DICD）往往在4μm以上；因此限制了树脂过孔在高分辨率面板中的应用。

本发明通过设计过孔图形方案，并在具体试验中优化，以实现树脂过孔的最小化。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何减小阵列基板上曝光过孔的尺寸。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供的一种掩模板，所述掩模板上具有透光图案，所述透光图案的边缘为弯曲状。

进一步地，所述透光图案的边缘为锯齿状或波浪状。

进一步地，所述透光图案为方形孔。

进一步地，所述为方形孔的透光图案至少有一组相对的侧边为弯曲状。

进一步地，所述为方形孔的透光图案弯曲状的侧边的两端弯曲高度高于或相等于其中部的高度。

进一步地，所述透光图案的弯曲状的边缘的弯曲高度为0.4～0.75μm。

进一步地，所述方形孔的尺寸为3μm×3μm。

进一步地，所述透光图案为圆孔。

进一步地，所述圆孔的直径为3μm。

本发明还提供一种过孔形成方法，在衬底基板上形成树脂层或光刻胶层，将上述的掩模板置于所述树脂层或光刻胶层的上方，对所述树脂层或光刻胶层进行曝光形成过孔图案。

进一步地，当树脂层为非感光树脂层时，在所述光刻胶层的下方先形成非感光树脂层，然后再对光刻胶层进行曝光，在非感光树脂层上形成过孔。

（三）有益效果

上述技术方案所提供的一种掩模板和过孔形成方法，适用于所有需要进行曝光显影的正性光刻胶材料和正性感光树脂材料，将掩模板的透光图案的边缘设为弯曲状，可以增加整体图形的曝光量，由于该弯曲状的边缘的尺寸远小于曝光机的分辨率，因此，弯曲状边缘的光刻胶或正性感光树脂只是少量地被曝光，大部分得到保留，使得过孔的整体尺寸小，不会超过4μm，满足高分辨率下精细化布线的要求。

进一步地，透光图案为方形孔，其弯曲状的侧边两端的锯齿高度高于其中部的锯齿高度，可使得透光图案的边缘部分的曝光量相对于其中部要增大一些，可以使得最终显影后的图形边缘清晰，避免过孔边缘发黑的现象，且过孔显影后尺寸小于4um，图像清晰，具有良好的均一性，过孔精度高，可实现过孔最小化。

附图说明

图1是现有技术掩模板的结构示意图；

图2是本发明实施例一的掩模板的结构示意图；

图3是本发明实施例二的掩模板的结构示意图；

图4是本发明实施例三的掩模板其中一种结构的示意图；

图5是本发明实施例三的掩模板另一种结构的示意图；

图6是本发明实施例四的掩模板的结构示意图；

图7是本发明实施例五的掩模板的结构示意图。

其中，1/10a/10b/10c/10d/10e、掩模板；2/20a/20b/20c/20d/20e、透光图案；20a-1/20b-1/20c-1/20d-1/20e-1、锯齿状的侧边。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

本发明所提供的掩模板特别适用于但不局限于正性感光树脂或正性光刻胶的曝光工艺，该掩模板上的透光图案的边缘为弯曲状，该透光图案的边缘可为锯齿状或波浪状等，以下实施例以锯齿状的边缘为例进行详细说明，当透光图案为锯齿状时，弯曲高度即为锯齿高度，所述锯齿高度为齿顶到齿底的距离。

实施例一

如图2所示，本发明实施例的一种掩模板，在掩模板10a上具有透光图案20a，该透光图案20a中只有一组相对的侧边为锯齿状，且整个锯齿状的侧边20a-1的锯齿高度h相等。